[发明专利]器件的制造方法及有机EL器件

说明书

技术领域

本发明涉及器件的制造方法及有机EL器件，尤其涉及制造过程的曝光时的光掩模的配置方式。

背景技术

作为器件的有机EL器件例如经过如下工序形成：（a）在基板上形成TFT层；（b）在TFT层上层叠层间绝缘膜；（c）在层间绝缘膜上层叠平坦化膜；（d）在平坦化膜上形成阳极；（e）形成划分相邻发光部之间的堤；（f）在通过形成堤而构成的凹部内形成包括有机发光层的功能层；（g）在多个功能层上相连地形成阴极；（h）形成覆盖阴极的封止膜。

在此，在以有机EL器件为代表的器件的制造中，包括很多对感光性膜进行曝光、显影的工序。例如，在上述（a）的TFT层的形成中，也在形成栅电极、形成半导体层、形成源电极/漏电极之际执行曝光/显影的工序。

用于曝光的光掩模的尺寸由生产线中的阶段（Generation）规定。例如，若为G（Generation）6，则被规定为800mm×920mm（32英寸）。因此，需要根据作为曝光对象的器件的尺寸而分成多次进行曝光（分割曝光）。用图32对分割曝光进行说明。

如图32（a）所示，在基板900上依次使金属膜9010a和正型的抗蚀剂膜930堆积后，配置光掩模590以覆盖抗蚀剂膜930的一部分。光掩模590通过在透光基板590a的Z轴方向下侧主面形成遮光区域590b被形成图案。在配置了光掩模590的状态下，将光照射到配置了该光掩模590的部分，进行第一次曝光。

接着，如图32（b）所示，在进行了第一次曝光的抗蚀剂膜930的上方配置光掩模591，在该状态下对配置了光掩模591的部分照射光来进行第二次曝光。光掩模591也与光掩模590同样地，通过在透光基板591a的Z轴方向下侧主面形成遮光区域591b被形成图案。

在此，第二次曝光时配置的光掩模591，相对于第一次曝光时配置的光掩模590，配置（接缝区域OR₉₀₀）以相互的端部彼此重叠。

专利文献1：日本专利第4604752号公报

专利文献2：日本特开2006-40589号公报

专利文献3：日本特开2005-203345号公报

发明内容

但是，在图32（a）、（b）所示的接缝区域OR₉₀₀中，由于进行了两次曝光，所以显影后会有与其他区域不同的形状/性质。例如，在进行了显影/蚀刻等后的状态下，会在接缝区域OR₉₀₀上产生微小的台阶差等。

如上所述，在接缝区域OR₉₀₀被分配给对该器件本来的特性有大影响的部分的情况下，会担心器件品质（质量）的降低。

本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供即使在制造过程中采用分割曝光时也能抑制器件特性降低的器件的制造方法及有机EL器件。

本发明的一个技术方案的器件的制造方法具有：

（a）基板准备工序，准备基板；

（b）像素电极形成工序，在基板上以彼此隔开间隔的状态形成多个像素电极，并且，在至少一部分的相邻像素电极之间形成电布线；

（c）感光性膜形成工序，在基板上涂敷感光性材料来形成感光性膜；

（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的执行后，使第一光掩模与基板相对配置，经由第一光掩模对感光性膜的第一部分进行曝光；

（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的执行后或者在第一部分曝光工序的执行同时，使第二光掩模与基板相对配置，经由第二光掩模对感光性膜的第二部分进行曝光，第二部分的至少一部分不同于第一部分；和

（f）显影工序，对通过执行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了第一部分和第二部分的感光性膜进行显影。

在本发明的一个技术方案的器件的制造方法中，其特征在于，在（e）第二部分曝光工序中，将第二光掩模配置成其端部与（d）第一部分曝光工序中的所述第一光掩模的端部重叠；在（b）像素电极形成工序、（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的所述重叠的部分处于与（b）像素电极形成工序中的电布线对应的位置。

在本发明的一个技术方案的器件的制造方法中，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中使第一光掩模和第二光掩模的所述重叠的部分处于与电布线对应的位置，所以能抑制器件特性的降低。即，这是因为：在器件中，即使在与电布线对应的位置规定第一光掩模和第二光掩模的所述重叠的位置，在该部分受到由曝光中的接缝所引起的影响表现出来，也能够避免作为器件的特性的大幅度地降低。