[发明专利]托架盖有效
| 申请号: | 201180006929.X | 申请日: | 2011-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN102893386A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
| 发明(设计)人: | 艾维利恩·安格洛夫;布赖恩·西弗森;纳坦·所罗门 | 申请(专利权)人: | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 托架 | ||
1.一种托架,其用于将半导体衬底支撑于用于处理所述半导体衬底的设备中,所述托架包括:
金属载盘,其包括上表面,所述上表面用于向所述半导体衬底提供热;及
可移除陶瓷盖,其用于在所述设备中处理所述半导体衬底期间向定位于所述可移除陶瓷盖的面向衬底的表面上方的所述半导体衬底提供实质上均匀的热传递,所述可移除陶瓷盖被定位在所述金属载盘的所述上表面上方。
2.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖包括与所述面向衬底的表面相对的面向载盘的表面,在装配所述托架之后,所述面向载盘的表面的大部分与所述金属载盘的所述上表面直接接触。
3.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖包括与所述面向衬底的表面相对的面向载盘的表面,在装配所述托架之后,所述面向载盘的表面定位于距所述金属载盘的所述上表面的预定距离处。
4.根据权利要求1所述的托架,其中所述金属载盘包括选自由下列各项组成的群组的一个或一个以上铝材料:铝6061、铝7075及铝3003。
5.根据权利要求1所述的托架,其中所述金属载盘包括加热器,所述加热器布置于所述金属载盘内,用于将所述金属载盘的所述上表面加热到介于约100℃到450℃之间的温度。
6.根据权利要求1所述的托架,其中所述面向衬底的表面包括一组支撑件,所述组支撑件用于将所述半导体衬底支撑于所述面向衬底的表面上方的平均预定距离处。
7.根据权利要求6所述的托架,其中所述平均预定距离介于约0.004英寸到约0.007英寸之间。
8.根据权利要求6所述的托架,其中所述组支撑件包括至少六个个别支撑件,所述至少六个个别支撑件布置成以所述可移除陶瓷盖的中心为中心的两个或两个以上圆形图案。
9.根据权利要求1所述的托架,其中所述金属载盘的所述上表面包括突起穿过所述可移除陶瓷盖中的开口的一组支撑件,所述组支撑件经配置以将所述半导体衬底支撑于所述可移除陶瓷盖的所述面向衬底的表面上方的平均预定距离处。
10.根据权利要求9所述的托架,其中所述组支撑件包括陶瓷球,所述陶瓷球定位于附接到所述金属载盘的延伸部的自由端上。
11.根据权利要求9所述的托架,其中所述开口具有从所述可移除陶瓷盖的中心径向地延伸的细长形状。
12.根据权利要求1所述的托架,其中所述托架经配置以将所述面向衬底的表面的温度分布保持于400℃的设定温度内少于约3℃以内。
13.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖的厚度介于约0.075英寸到约0.500英寸之间。
14.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖具有平行于所述面向衬底的表面的小于约0.002英寸偏差以内的面向载盘的表面。
15.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖包括选自由下列各项组成的群组的一个或一个以上材料:氧化铝、氮化铝、钛酸钡、氮化硼、氮氧硅铝、碳化硅、氮化硅、硅酸镁、碳化钛、氧化锌及二氧化锆。
16.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖包括引导销,所述引导销从面向载盘的表面的中心延伸且突起进入所述金属载盘的所述上表面中的对应凹部中,所述引导销及所述对应凹部经配置以维持所述可移除陶瓷盖与所述金属载盘的相对位置。
17.根据权利要求1所述的托架,其中所述可移除陶瓷盖包括两个或两个以上固持柱,所述固持柱从面向载盘的表面延伸且进入所述金属载盘的所述上表面上的相应上固持凹孔中,以相对于所述金属载盘紧固所述可移除陶瓷盖。
18.根据权利要求17所述的托架,其进一步包括两个或两个以上固持键,所述固持键延伸进入所述金属载盘的侧固持凹孔中且与所述可移除陶瓷盖的所述两个或两个以上固持柱啮合。
19.根据权利要求18所述的托架,其进一步包括两个或两个以上固持盖,所述固持盖用于插入所述金属载盘的所述侧固持凹孔中且覆盖所述侧固持凹孔内侧的所述两个或两个以上固持键。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





