[发明专利]电力用半导体模块在审
| 申请号： | 201180005358.8 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102687270A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 中山靖;三木隆义;大井健史;多田和弘;井高志织;长谷川滋;田中毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 模块 | ||
1.一种电力用半导体模块，具备Si半导体元件和宽禁带半导体元件，其特征在于，
所述宽禁带半导体元件配置在所述电力用半导体模块的中央区域，
所述Si半导体元件配置在所述中央区域的两侧或周边。
2.一种电力用半导体模块，具备Si半导体元件和宽禁带半导体元件，其特征在于，
所述宽禁带半导体元件配置成处于多个所述Si半导体元件之间，或者配置成被多个所述Si半导体元件所包围。
3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件是开关元件，所述宽禁带半导体元件是二极管。
4.根据权利要求1或2所述的电力用半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件是二极管，所述宽禁带半导体元件是开关元件。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的电力用半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件和所述宽禁带半导体元件安装于同一绝缘基板。
6.根据权利要求1~4中的任一项所述的电力用半导体模块，其特征在于，
所述Si半导体元件和所述宽禁带半导体元件分别安装于不同的绝缘基板。
7.根据权利要求5或6所述的电力用半导体模块，其特征在于，
安装有所述Si半导体元件的绝缘基板和安装有所述宽禁带半导体元件的绝缘基板被设置在同一底板之上。
8.根据权利要求6所述的电力用半导体模块，其特征在于，
安装有所述Si半导体元件的绝缘基板和安装有所述宽禁带半导体元件的绝缘基板分别被设置在不同的底板之上。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的电力用半导体模块，其特征在于，
覆盖配置有所述宽禁带半导体元件的区域的绝缘密封材料具有比覆盖配置有所述Si半导体元件的区域的绝缘密封材料高的耐热特性。
10.根据权利要求1~8中的任一项所述的电力用半导体模块，其特征在于，
覆盖配置有所述宽禁带半导体元件的区域的绝缘密封材料由氟系树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂、高耐热硅酮系树脂中的任一种形成，覆盖配置有所述Si半导体元件的区域的绝缘密封材料由硅酮凝胶或硅酮橡胶形成。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的电力用半导体模块，其特征在于，
所述宽禁带半导体元件是由碳化硅、氮化镓系材料或金刚石制作的。
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