[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管及其制造方法，尤其涉及一种放射白色光的发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode:LED)作为高能效产品，其使用正在增多，对其的研究开发持续不断。从这一方面而言，难以体现从发光二极管输出的白色光。过去曾尝试了用于体现白色光的多种新方法。

但是，这些诸多途径不是在晶圆级上，而是在芯片级上执行这种过程。这种途径造成芯片浪费。

而且，现存的任何途径均无法以诸如输出光的波长的根本性测量结果为基础，变更荧光体(荧光物质)的比率。

因此，要求基于新途径的发光二极管及其制造方法。

发明内容

本发明的目的为提供放射收率高的白色光的发光二极管及其制造方法。

本发明的另一目的为提供放射能够制造成本的白色光的发光二极管及其制造方法。

本发明的又另一目的为提供能够在色度坐标上输出相同的目标白色光的发光二极管及其制造方法。

本发明的技术解决方案：

本发明的发光二极管制造方法，用于制造发光二极管，其特征在于包括：

测量步骤，在晶圆级上测量发光二极管；以及涂覆步骤，在晶圆级上，为使上述发光二极管输出的光转换成白色光，在上述发光二极管上执行具有基于上述测量结果的荧光体配合比的共形涂覆。

在此，上述测量步骤包括测量由上述发光二极管输出的光的波长的步骤。

并且，上述发光二极管包括蓝色发光二极管及紫外线发光二极管中的至少某一种。

并且，还包括一个步骤，使上述发光二极管的涂布了上述共形涂层的区域分离。

并且，上述区域使用固体石蜡、丝网印刷及光刻胶中的至少某一种进行分离。

在此，上述共形涂层具有包括黄色、绿色或红色颜色中至少某一种的荧光体配合比。

在此，上述发光二极管与多个其它发光二极管配置于晶圆上，并且使上述共性涂层涂布于上述晶圆。

并且，上述目的可根据本发明的发光二极管的制造方法来实现，其特征在于，包括：测量步骤，在晶圆级上测量由发光二极管输出的光的波长；以及涂覆步骤，在晶圆级上，为使上述发光二极管输出的光转换成白色光，在上述发光二极管上执行具有基于上述测量结果的荧光体配合比的共形涂覆；而且，上述配合比包括黄色、绿色或红色中至少某一种颜色。

在此，上述发光二极管包括蓝色发光二极管及紫外线发光二极管中的至少某一种。

在此，还包括一个步骤，使上述发光二极管的涂布了上述共形涂层的区域分离。

在此，上述区域使用固体石蜡、丝网印刷及光刻胶中的至少某一种进行分离。

上述目的，可通过本发明的发光二极管来实现，其特征在于，包括：发光部；

共形涂层部，为使上述发光部输出的光转换成白色光而具有基于上述发光部输出的光的波长的荧光体配合比，涂布于上述发光部上部。

在此，上述荧光体配合比包括黄色、绿色、红色中至少一种颜色。

本发明的技术效果：

本发明的白色发光二级管的制造方法与芯片单位封装方法不同，在晶圆级上完成白色发光二极管制造工序，并在晶圆级上，分别按所有单位芯片预先测量波长数据，并在各个单位芯片上准确控制相应波长的荧光体(黄色yellow,Y)、绿色(green:G)、红色(red:R)配合比，由此按晶圆上的芯片分配荧光体。

使此类芯片表面具有一定的涂布厚度的共形涂覆的方法具有如下效果。

第一，在晶圆级上，按各个单位芯片，决定转换为色度坐标上相同的目标白色光所需的荧光体+Si物质，按各个芯片进行涂布，所以，各芯片输出的白色光的色差减小。因此，白色光二极管工序收率增加。

第二，由于色差的最小化，在设计利用了各个白色光发光二极管芯片的光学透镜时，设计自由度增加。

第三，由于是在晶圆单位上，每个芯片完成荧光体涂布工序，所以，在封装步骤中，不需要按各个芯片对具有类似范围波长的LED进行分类的分选(sorting)工序。另外，不是在封装步骤中，而是在晶圆级上已经获得了白色度坐标，因而不发生另外追加的封装工序及材料费用。

第四，由于是在晶圆级上制作白色光芯片，所以，生产装备投资减少，白色光二极管芯片管理费用减少，特别是不需要用于分类的分选装备等执行封装工序所需的设备。