[发明专利]陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材有效
| 申请号： | 201180004702.1 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102639464A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/04;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 层叠 半导体 制造 装置 构件 溅射 | ||
1.一种陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，
主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。
2.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中，上述2θ为47～49°。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中，副相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。
4.根据权利要求3所述的陶瓷材料，其中，上述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°。
5.根据权利要求4所述的陶瓷材料，其中，上述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的陶瓷材料，其中，不含AlN晶相。
7.一种层叠体，具有使用了权利要求1～6任意一项所述的陶瓷材料的第1结构体和主相为氮化铝、氧化钇及氧化铝中至少1种的第2结构体层叠或接合的结构。
8.根据权利要求7所述的层叠体，其中，上述第1结构体与上述第2结构体介由中间层接合。
9.根据权利要求7所述的层叠体，其中，上述第1结构体与上述第2结构体之间的线热膨胀系数差在0.3ppm/K以下，上述第1结构体与上述第2结构体直接接合。
10.一种半导体制造装置用构件，由权利要求1～6任意一项所述的陶瓷材料构成。
11.一种溅射靶材，由权利要求1～6任意一项所述的陶瓷材料构成。
12.根据权利要求11所述的溅射靶材，用于磁隧道结元件的隧道势垒的制作。
13.根据权利要求12所述的溅射靶材，用于硬盘的磁头及磁阻式随机存取存储器中至少1个上述磁隧道结元件的制作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180004702.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于三元材料前驱体生产的陈化釜
- 下一篇：一种化工反应罐中的多级搅拌桨
