[发明专利]用于制造碳化硅半导体装置的方法和设备

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体装置(102)的方法，所述方法包括：

在碳化硅半导体的第一表面(100a)上形成第一氧化物膜(3)的步骤；

除去所述第一氧化物膜(3)的步骤；以及

在所述碳化硅半导体中因除去所述第一氧化物膜(3)而露出的第二表面(101a)上形成构成所述碳化硅半导体装置(102)的第二氧化物膜(126)的步骤，

在所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤与所述形成第二氧化物膜(126)的步骤之间，将所述碳化硅半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。

2.如权利要求1所述的制造碳化硅半导体装置(102)的方法，其中在所述形成第一氧化物膜(3)的步骤与所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤之间，将所述碳化硅半导体布置在与所述环境气氛隔绝的气氛中。

3.如权利要求1所述的制造碳化硅半导体装置(102)的方法，其中在所述形成第一氧化物膜(3)的步骤中，将在所述碳化硅半导体的所述第一表面(100a)上形成的损伤层氧化。

4.如权利要求1所述的制造碳化硅半导体装置(102)的方法，其中所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤包括如下步骤中的至少一个步骤：

在不含氧的气氛中，在不低于1200℃且不高于碳化硅升华温度的温度下，将所述第一氧化物膜(3)热分解的步骤，和

在不低于800℃且不高于碳化硅升华温度的温度下，使用包含选自氢气、氯化氢气体、氟化硫气体和氟化碳气体中的至少一种气体的气体进行腐蚀的步骤。

5.如权利要求1所述的制造碳化硅半导体装置的方法，其中在所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤与所述形成第二氧化物膜(126)的步骤之间，在所述碳化硅半导体中保持500℃以下的温差。

6.如权利要求5所述的制造碳化硅半导体装置(102)的方法，其中在所述形成第二氧化物膜(126)的步骤中，使用在所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤中所使用的设备形成所述第二氧化物膜(126)。

7.如权利要求2所述的制造碳化硅半导体装置(102)的方法，其中在所述形成第一氧化物膜(3)、除去所述第一氧化物膜(3)与形成第二氧化物膜(126)的步骤之间，在所述碳化硅半导体中保持500℃以下的温差。

8.如权利要求7所述的制造碳化硅半导体装置的方法，其中在所述形成第一氧化物膜(3)的步骤中所使用的设备、在所述除去所述第一氧化物膜(3)的步骤中所使用的设备和在所述形成第二氧化物膜的步骤中所使用的设备是通用的。

9.一种用于制造碳化硅半导体装置(102)的设备(10)，包含：

第一形成部(11)，其用于在碳化硅半导体的第一表面(100a)上形成第一氧化物膜(3)；

除去部(12)，其用于除去所述第一氧化物膜(3)；

第二形成部(13)，其用于在所述碳化硅半导体中因除去所述第一氧化物膜(3)而露出的第二表面(101a)上形成构成所述碳化硅半导体装置(102)的第二氧化物膜(126)；以及

第一连接部(14)，其将所述除去部(12)与所述第二形成部(13)相互连接从而能够运送所述碳化硅半导体，

所述第一连接部(14)中的运送所述碳化硅半导体的区域与环境气氛隔绝。

10.如权利要求9所述的用于制造碳化硅半导体装置(102)的设备(10)，还包含第二连接部(15)，所述第二连接部(15)将所述第一形成部(11)与所述除去部(12)相互连接从而能够运送所述碳化硅半导体，其中

所述第二连接部(15)中的运送所述碳化硅半导体的区域能够与环境气氛隔绝。

11.一种用于制造碳化硅半导体装置(102)的设备(20)，包含：

第一形成部，其用于在碳化硅半导体的第一表面(100a)上形成第一氧化物膜(3)；和

第二形成部，其用于除去所述第一氧化物膜(3)并在所述碳化硅半导体中因除去所述第一氧化物膜(3)而露出的第二表面(101a)上形成构成所述碳化硅半导体装置的第二氧化物膜(126)。

12.如权利要求11所述的用于制造碳化硅半导体装置的设备(20)，其中所述第一形成部和所述第二形成部是通用的。