[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件，具备：

氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和

电极，其设置于所述p型GaN系半导体区域上，

所述p型GaN系半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，

所述电极包含Mg合金层，该Mg合金层与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触，由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型GaN系半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极包含所述Mg合金层、和形成于所述Mg合金层上的金属层，

所述金属层由Pt、Mo以及Pd中包含在所述Mg合金层中的金属而形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述氮化物系半导体层叠构造具有包含Al_aIn_bGa_cN层的活性层，所述活性层发光，其中a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型GaN系半导体区域为p型接触层。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Mg合金层的厚度为0.1nm以上5nm以下。

7.根据权利要求3所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Mg合金层的厚度为所述金属层的厚度以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Mg合金层中的N浓度比Ga浓度低。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Mg合金层为岛状。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述氮化物系半导体元件具有支撑所述氮化物系半导体层叠构造的半导体基板。

11.一种光源，其具备：

氮化物系半导体发光元件；和

波长变换部，其包含对从所述氮化物系半导体发光元件放射的光的波长进行变换的荧光物质，

所述氮化物系半导体发光元件具备：

氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和

电极，其设置于所述p型GaN系半导体区域上，

所述p型GaN系半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，

所述电极包含Mg合金层，该Mg合金层与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触，由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成。

12.根据权利要求11所述的光源，其中，

所述p型GaN系半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

13.一种氮化物系半导体元件的制造方法，包括：

工序(a)，准备基板；

工序(b)，在所述基板上形成具有p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造，其中该p型GaN系半导体区域由GaN系半导体构成，所述半导体的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下；和

工序(c)，在所述氮化物系半导体层叠构造的所述p型GaN系半导体区域的所述主面上形成电极，

所述工序(c)包括在所述p型GaN系半导体区域的所述主面上形成Mg合金层的工序，其中该Mg合金层由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成。