[发明专利]一种集成探测器及其探测方法、光模块、光网络系统有效
申请号: | 201180002967.8 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102725847A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 周小平;李胜平;陈聪;凌魏;钟德刚 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/18;G02B6/42;H04B10/08 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 探测器 及其 探测 方法 模块 网络 系统 | ||
1.一种集成探测器,其特征在于,所述集成探测器包括:检测单元和数据恢复单元,其中,
所述检测单元,用于接收从光网络单元发送的第一光信号,通过光电转换后,检测所述转换后的电信号的强弱;
所述数据恢复单元,用于接收从光线路终端发送的第二光信号,通过光电转换后,恢复出承载在光上的数据信号。
2.根据权利要求1所述的集成探测器,其特征在于,所述集成探测器还包括:电隔离层,用于将所述检测单元的电信号与所述数据恢复单元的电信号进行隔离。
3.根据权利要求1所述的集成探测器,其特征在于,所述检测单元接收的第一光信号的入射方向与所述数据恢复单元接收的第二光信号的入射方向相反,且所述第一光信号的入射方向及所述第二光信号的入射方向均平行于所述电隔离层,或所述检测单元接收的第一光信号的入射方向与所述数据恢复单元接收的第二光信号的入射方向相同,且所述第一光信号的入射方向及所述第二光信号的入射方向均平行于所述电隔离层。
4.根据权利要求1所述的集成探测器,其特征在于,所述集成探测器还包括:衬底,所述检测单元和所述数据恢复单元都集成在所述衬底上,且所述衬底为半绝缘磷化铟材料。
5.根据权利要求4所述的集成探测器,其特征在于,所述检测单元包括:第一台面、第一金属电极层、第一子n极层以及第一反射面,其中,
所述第一台面是在所述衬底上依次沉积n极层、吸收层、P极层后,利用光刻工艺,刻蚀P极层和吸收层所形成的,且所述n极层为N型掺杂的磷化铟材料,所述吸收层为砷化铟镓材料,所述P极层为P型掺杂的磷化铟材料;
所述第一金属电极层是在所述第一台面上沉积金属层后,利用化学腐蚀法,腐蚀所述金属层所形成的;
所述第一子n极层是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述n极层所形成的;
所述第一反射面是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述第一子n极层所形成的;
所述数据恢复单元包括:第二台面、第二金属电极层、第二子n极层以及第二反射面,其中,
所述第二台面是在所述衬底上依次沉积所述n极层、吸收层、P极层后,利用光刻工艺,刻蚀所述P极层和吸收层所形成的,且所述n极层为N型掺杂的磷化铟材料,所述吸收层为砷化铟镓材料,所述P极层为P型掺杂的磷化铟材料;
所述第二金属电极层是在所述第二台面上沉积金属层后,利用化学腐蚀法,腐蚀所述金属层所形成的;
所述第二子n极层是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述n极层所形成的;
所述第二反射面是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述第二子n极层所形成的。
6.根据权利要求4所述的集成探测器,其特征在于,所述检测单元还包括:第一入光斜面,所述第一入光斜面是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述第一子n极层所形成的,所述第一光信号由所述第一入光斜面射入所述第一子n极层;
所述数据恢复单元还包括:第二入光斜面,所述第二入光斜面是利用湿法刻蚀法,刻蚀所述第二子n极层所形成的,所述第二光信号由所述第二入光斜面射入所述第二子n极层。
7.一种集成探测器的探测方法,其特征在于,所述方法包括:
接收从光网络单元发送的第一光信号,通过光电转换后,检测所述转换后的电信号的强弱;
接收从光线路终端发送的第二光信号,通过光电转换后,恢复出承载在光上的数据信号。
8.一种光模块,包括:激光器、滤波器和第一光波导,所述激光器通过所述第一光波导与所述滤波器连接,其特征在于,所述光模块还包括:集成探测器和第二光波导,所述集成探测器通过所述第二光波导与所述激光器连接;其中,
所述激光器,用于产生第一光信号,通过所述第一光波导将所述第一光信号发送给所述集成探测器;
所述滤波器,用于接收光线路终端发送的第二光信号,将所述第二光信号发送给所述集成探测器;
所述集成探测器,用于接收从光网络单元发送的第一光信号,通过光电转换后,检测所述转换后的电信号的强弱;以及接收从光线路终端发送的第二光信号,通过光电转换后,恢复出承载在光上的数据信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180002967.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:弯管机
- 下一篇:可防止无线传感网络拥塞的输电线路监测信息传输方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的