[发明专利]分块功率管电路及其实现方法

权利要求书

1.一种分块功率管电路，用于对开关电源的电压调节信号进行逻辑控制，以实现根据开关电源所接入的处理器和存储器所需的供电电压，管理当前开关电源中的功率管的开关状态，其特征在于，包括控制电路、驱动电路及分块功率管组，其中，

所述控制电路用于根据电压调节信号调节PWM信号的方波占空比，生成PWMP信号和PWMN信号以及控制信号m，所述控制信号m用于管理功率管对开启的路数，所述PWMP信号和PWMN信号用于为驱动电路提供功率管状态控制信号，其中，所述PWMP信号和PWMN信号分别输送至所述驱动电路的PWMP信号端和PWMN信号端；

所述驱动电路用于根据所述PWMP信号和PWMN信号生成驱动信号PG和驱动信号NG，所述PG信号用于控制所述功率管对中PMOS功率管的开关状态，所述NG信号用于控制所述功率管对中NMOS功率管的开关状态，其中，所述驱动电路的PWMP信号端和PWMN信号端分别用于接收所述PWMP信号和所述PWMN信号；

所述分块功率管组包括至少一路功率管对，每路功率管对包括一个PMOS功率管和一个NMOS功率管，所述PMOS功率管和NMOS功率管的漏端相连接，其中，所述PMOS功率管的输入端接收所述驱动电路发送的PG信号，所述NMOS功率管的输入端接收所述驱动电路发送的NG信号。

2.根据权利要求1所述的分块功率管电路，其特征在于，所述控制电路还包括：

动态死区控制电路，所述动态死区控制电路用于通过改变延时单元开启或关闭的数目以改变死区时间，使PMOS功率管和NMOS功率管处于不同时导通的状态；所述动态死区控制电路的输入端接收分块功率管驱动信号，所述PG信号和NG信号用于为动态死区控制电路提供控制信号，所述动态死区控制电路的输出端与所述驱动电路的DTF信号端和DTR信号端连接。

3.根据权利要求1或2所述的分块功率管电路，其特征在于，所述控制电路通过控制动态死区控制电路中延时单元的开关的闭合状态，来控制动态死区控制电路输出的死区时间的大小。

4.根据权利要求2所述的分块功率管电路，其特征在于，所述分块功率管驱动信号包括PMOS功率管驱动信号PG和NMOS功率管驱动信号NG，所述PG信号和NG信号为反馈信号，由驱动电路输出的PG1-PGn信号和NG1-NGn反馈回来得到。

5.根据权利要求3所述的分块功率管电路，其特征在于，所述动态死区控制电路的输出端输出DTF信号和DTR信号，其中，DTF信号为下降死区时间控制信号，用于控制PMOS功率管的PWMP信号的下降沿，进而控制下降死区时间的大小，DTR信号为上升死区时间控制信号，用于控制NMOS功率管的PWMN信号的上升沿，进而控制上升死区时间的大小。

6.一种分块功率管电路的实现方法，其特征在于，所述分块功率管电路包括控制电路、驱动电路及分块功率管组，所述分块功率管组包括至少一路功率管对，每路功率管对包括一个PMOS功率管和一个NMOS功率管，所述方法包括：

根据开关电源所接入的处理器和存储器所需的供电电压的大小产生的电压调节信号，利用PWM信号和所述电压调节信号通过控制电路产生PWMN信号、PWMP信号以及控制信号m，通过所述控制信号m管理功率管对开启的路数；

所述PWMP信号和PWMN信号通过驱动电路产生驱动信号PG和NG，通过PG信号控制功率管对中PMOS功率管的开关状态，通过NG信号控制功率管对中NMOS功率管的开关状态。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述分块功率管电路还包括动态死区控制电路，所述方法还包括：

通过改变延时单元开启或关闭的数目以改变死区时间，使PMOS功率管和NMOS功率管处于不同时导通的状态。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用分块功率管驱动信号通过所述动态死区控制电路控制各功率管对的死区时间包括：

所述动态死区控制电路输出DTF信号和DTR信号，其中，DTF信号为下降死区时间控制信号，用于控制PMOS功率管的PWMP信号的下降沿，进而控制下降死区时间的大小，DTR信号为上升死区时间控制信号，用于控制NMOS功率管的PWMN信号的上升沿，进而控制上升死区时间的大小。