[实用新型]用于碳化硅表面处理的水冷却装置

说明书

技术领域

本实用新型提供了一种冷却装置，尤其是一种水冷却装置。

背景技术

在利用ECR-PEMOCVD(碳化硅电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积碳化硅)系统进行碳化硅表面氢等离子体处理后，由于处理温度较高碳化硅1000℃以上碳化硅，若将碳化硅晶片直接取出，碳化硅表面容易在空气中被氧气氧化，影响碳化硅器件的性能。由于原来的系统支架部分缺乏冷却装置，若晶片自然冷却，需要12个小时以上，容易被空气污染且影响工作进度。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种用于碳化硅表面处理的水冷却装置，以实现碳化硅晶片的快速冷却。

本实用新型是这样实现的，用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室，冷却室内有环状的中空托架，中空托架与推臂固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板分隔出的进水腔体、回水腔体的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门。

采用上述结构的水冷却装置，可在短时间内实现碳化硅晶片的冷却，降低了碳化硅被污染的几率，节省了时间，提高了工作效率。

附图说明

图1是本实用新型结构的主视图。

图2是图1的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图给出的实施例说明本实用新型的具体结构和使用方法。

如附图所示，本实用新型之用于碳化硅表面处理的水冷却装置，它有冷却室碳化硅1碳化硅，冷却室内有环状的中空托架碳化硅2碳化硅，中空托架与推臂碳化硅9碳化硅固定在一起，中空托架内腔两端分别与推臂内的隔板碳化硅4碳化硅分隔出的进水腔体碳化硅6碳化硅、回水腔体碳化硅7碳化硅的内腔相连通，进水腔体的一侧有阀门碳化硅8碳化硅。

使用时，将进水腔体与自来水管连通在一起，托盘碳化硅3碳化硅放置在中空托架上。待碳化硅晶片经过碳化硅表面氢等离子体处理后，推动推臂，使得中空托架进入冷却室，打开阀门碳化硅8碳化硅。自来水经进水腔体内腔、中空托架内腔、回水腔体内腔流动，可在30分钟内快速降低托盘温度，进而降低碳化硅晶片温度，实现快速降温的目的。

显然，在冷却室上有中空托架的进出口碳化硅5碳化硅。