[实用新型]一种充电电路、存储芯片及耗材容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及打印成像领域，特别涉及一种充电电路及存储芯片及耗材容器。

背景技术

铁电存储器(Ferrum-RAM，FRAM)将只读内存(Read-Only Memory，ROM)的非易失性数据存储特性和随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起，被广泛地应用于汽车电子及耗材容器等领域。但由于FRAM的价格较高，在一定程度上限制了FRAM的推广应用。

现有的耗材容器，比如用于激光打印机的硒鼓、粉盒，用于喷墨打印机的墨盒，为了降低硬件成本，通常利用包含电池、静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)、及电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的存储芯片、或者利用包含电池、SRAM及闪存(FLASH)的存储芯片替代FRAM，即在耗材容器被外部电源短暂供电时，待记录数据被写入到存储芯片包含的SRAM中暂存，在掉电后，存储芯片包含的电池作为SRAM的供电电源，提供将SRAM中已写入的待记录数据写入存储芯片包含的EEPROM或者FLASH中的时长内SRAM所需的电能及EEPROM所需的电能，即整个存储芯片的电能。现有的存储芯片由于包含供电的电池，电池的使用寿命和体积，在一定程度上限制了包含电池的存储芯片的推广应用。

为了解决包含电池的存储芯片的上述缺陷，另外一种在耗材容器上装设的存储芯片应运而生，即利用电容替换电池的存储芯片。

图1为现有的存储芯片的结构示意图。现结合图1，对现有的存储芯片的结构进行说明，具体如下：

现有的存储芯片包含：电容C0、SRAM11和EEPROM12。其中，电容C0的一端连接电源正极，另一端接地；SRAM11包含用以连接外部电源的电源端和用以接收外部数据的数据端；SRAM11的电源端连接电容C0连接电源正极的一端；SRAM11的数据端连接外部数据源和EEPROM12。

在外部电源为存储芯片短暂供电时，外部电源为SRAM11供电，外部数据源输出的数据被写入SRAM11中，同时，电容C0存储电能。

在掉电时，为了保证SRAM11中暂存的数据不丢失，电容C0通过与SRAM11形成的放电回路进行放电，为SRAM11和EEPROM12进行供电，以便SRAM11中暂存的数据被写入EEPROM12中，从而进行有效地保存，实现了FRAM的可高速写入、又具有非易失的特性。

若采用图1所示现有的存储芯片，一次将SRAM11中暂存的多个数据写入EEPROM12的多个地址时，由于写入EEPROM12的多个地址需要耗费较长的时间，这就需要电容C0提供较多的电能，这时，现有的存储芯片中的电容C0需要采用大容量电容，以完成从SRAM11到EEPROM12的数据转存过程中SRAM11和EEPROM12所需的电能。若采用大容量电容，在为电容充电时则需要耗费较长的时间，由于存储芯片的外部电源受打印机的控制，电容的充电时间受限于供电时间，若充电时间过短，电容电压未上升到可用值，则电容C0无法提供SRAM11到EEPROM12的数据转存所需的电能，数据不能得到有效地保护。

为了避免上述大电容带来的问题，现有的存储芯片中的电容C0可采用小容量的电容，电容C0的充电过程较快，但放电过程也较快，同样不能保证SRAM11到EEPROM12的数据转存的顺利完成。

综上所述，现有的存储芯片中的由电容构成的充电电路，存在充放电时间不稳定，不能保证转存数据所需的电量及时间，进而不能保证暂存于易失性存储器的数据得到有效地保护。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种充电电路，该充电电路能够为转存数据提供所需的电量及时间，使暂存于易失性存储器的数据得到有效地保护。

本实用新型的目的在于提供一种存储芯片，该存储芯片所装设的充电电路能够为转存数据提供所需的电量及时间，使暂存于易失性存储器的数据得到有效地保护。

本实用新型的目的在于提供一种耗材容器，该耗材容器所装设的存储芯片包含的充电电路能够为转存数据提供所需的电量及时间，使暂存于易失性存储器的数据得到有效地保护。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案具体是这样实现的：

一种充电电路，该充电电路连接易失性存储器，包含：第一储能元件、第二可控开关及第二储能元件；