[实用新型]一种新型的大功率LED有效
| 申请号: | 201120573874.8 | 申请日: | 2011-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN202473914U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 孙强;何磊 | 申请(专利权)人: | 深圳市天添光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 大功率 led | ||
技术领域
本实用新型涉及一种照明装置,特别是涉及一种大功率LED。
背景技术
面光源(COB)是一种新的LED封装形式,目前市场上的COB都是在铝基板上面用小尺寸的水平芯片进行串并联电路封装,其发光效率一般只有60-80lm/W,发光效率较低的原因有两个主要方面:1、铝基板导热系数较小;2、水平芯片正负极都在发光面上,从而减小了有效的发光面积。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服目前技术的不足,提供一种发光效率高的新型大功率LED。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:
一种新型的大功率LED,包括一陶瓷基板,陶瓷基板上设置有独立的电路区域,电路区域设置有垂直芯片,电路区域外围设置有一圈围墙胶,从而该一圈围墙胶内形成一个可以点荧光粉的区域,所述电路区域在可以点荧光粉的区域范围之内,所述可以点荧光粉的区域内点有荧光粉。
本实用新型的有益效果为:因为采用了高导热系数的陶瓷基板,从而导热性能好,而采用了垂直芯片,则避免了水平芯片的正负极都在发光面上的不足,使得整个LED的有效发光面积变大,从而整个LED的发光效率高。
附图说明
图1为本实用新型大功率LED平面示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,本实用新型的大功率LED包括一陶瓷基板1,陶瓷基板1上设置有独立的电路区域2,电路区域2设置有垂直芯片3,电路区域2外围设置有一圈围墙胶4,从而该一圈围墙胶4内形成一个可以点荧光粉的区域5,所述电路区域2在可以点荧光粉的区域5范围之内,在该可以点荧光粉的区域5内点荧光粉,从而将垂直芯片4封装成白光。
在本实施例中,所述垂直芯片4通过高导热系数的银胶固定在陶瓷基板1的电路区域2。
综上所述,本实用新型因为采用了高导热系数的陶瓷基板1,从而导热性能好,再加上采用了垂直芯片3,避免了水平芯片的正负极都在发光面上的不足,使得整个LED的有效发光面积变大,从而本实用新型LED发光效率高。
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