[实用新型]电力电子器件的压点的金属连线结构有效
申请号: | 201120570416.9 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN202434502U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 | 申请(专利权)人: | 福建福顺微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/482 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350018 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 电子器件 金属 连线 结构 | ||
1.一种电力电子器件的压点的金属连线结构,包括设有体区和压点区的电力电子器件,其特征在于:所述体区上设有第一介质薄膜层,所述第一介质薄膜层中部设有沟槽和接触孔,所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔的深度穿透第一介质薄膜层至压点区;所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次设有钛钨过渡层和第一层压点连线金属层;所述第一介质薄膜层上设有第二介质薄膜层,所述第二介质薄膜层中部设有沟槽和接触孔,所述第二介质薄膜层的沟槽和接触孔的深度穿透第二介质薄膜层至第一介质薄膜层;所述第二介质薄膜层的沟槽内设有第二层压点连线金属层;所述第二介质薄膜层上设有表面钝化保护层,所述表面钝化保护层的中部设有压点凹槽,所述压点凹槽的深度穿透表面钝化保护层至第二介质薄膜层。
2.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第一介质薄膜层为单层介质薄膜层或多层复合介质薄膜层。
3.根据权利要求1或2所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第一介质薄膜层为二氧化硅、氮化硅、多晶硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、无掺杂硅玻璃、旋涂硅玻璃或正硅酸四乙脂的介质薄膜层。
4.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述钛钨过渡层的厚度为0.03~0.05微米。
5.根据权利要求4所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述钛钨过渡层的厚度为0.04微米。
6.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第一层压点连线金属层和第二层压点连线金属层均为铝硅铜合金层,其厚度均为1.5~2.5微米。
7.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第一层压点连线金属层和第二层压点连线金属层的厚度均为2.0微米。
8.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第二介质薄膜层的接触孔为多孔状介质结构。
9.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述第二介质薄膜层为二氧化硅或氮化硅的介质薄膜层。
10.根据权利要求1所述的电力电子器件的压点的金属连线结构,其特征在于:所述表面钝化保护层为氮化硅或磷硅玻璃的保护层。
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