[实用新型]一种用于设计构形树的PCB板有效
| 申请号: | 201120561767.3 | 申请日: | 2011-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN202406379U | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
| 发明(设计)人: | 黄惠芬;郭巍;刘诗韵 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗观祥 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 设计 构形 pcb | ||
技术领域
本实用新型涉及电路板,具体是一种用于设计构形树的PCB板。
背景技术
随着电子技术的飞速发展,电子产品越来越来越趋向高速、宽带、高灵敏度、高密集度和小型化,这种趋势导致了电路板设计中电磁兼容问题的严重化,特别是电源和地线的电磁干扰问题,成为目前电磁兼容设计中急待解决的技术难题和系统工程。
传统方法是通过加去耦电容来抑制电源线中存在的干扰,但是去耦电容在频率比较高的情况下,效果并不理想。近年来,EBG结构被用于电源层来抑制高频噪声干扰,尤其是平面电磁带隙结构易于制作,获得了广泛的研究。不过典型的EBG结构并未考虑电源层上的电压降。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的缺点和不足,提供一种用于设计构形树的PCB板,本实用新型适用于树状PCB电源板设计,具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
本实用新型通过下述技术方案实现:
一种用于设计构形树的PCB板,依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。
所述电源层、地层为覆铜层。
所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。
所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。
所述高介电常数介质层厚度为0.2mm~2mm。
所述覆铜层的厚度为0.035mm~0.07mm。
本实用新型适用于树状PCB电源板设计,具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
附图说明
图1是本实用新型用于设计构形树的PCB结构示意图;
图2是2级“H”形构形树的构造图;
图3是2级圆形构形树的构造图;
图4为1级“H”形构形树的构造图;
图5为2级“H”形构形树电源层;
图6为2级圆形构形树电源层;
图7为1级“H”形构形树电源层;
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明,但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示,本实用新型用于设计构形树的PCB板,依次包括电源层1、纳米材料层2、高介电常数介质层3、地层构成4;所述电源层1、地层4为覆铜层;所述纳米材料层2为高磁导率纳米材料层。
所述高介电常数介质层3为介电常数为14000的钛酸钡。
所述高介电常数介质层3厚度为0.2mm~2mm。所述覆铜层的厚度为0.035mm~0.07mm。
电源层设计,需要先根据构形理论设计出构形树,构形树将电流均匀分配到电源板各处,解决高电源电压降问题。然后在构形树的基础上设计出完整电源层。
图2是2级“H”形构形树的构造图;
图3是2级圆形构形树的构造图;
图4为1级“H”形构形树的构造图;
图5为2级“H”形构形树电源层;
图6为2级圆形构形树电源层;
图7为1级“H”形构形树电源层;
如上所述,便可较好地实现本实用新型。
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