[实用新型]免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构有效
| 申请号: | 201120555400.0 | 申请日: | 2011-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN202385056U | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
| 发明(设计)人: | 张殿军 | 申请(专利权)人: | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F1/32;H03F3/20 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 免除 死区 时间 数字音频 功率放大器 电路 结构 | ||
1.一种免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,所述的电路结构包括脉宽调制器和驱动级电路,所述的脉宽调制器的输入端连接音频信号和载波信号,所述的脉宽调制器的脉宽调制信号输出端连接所述的驱动级电路,所述的驱动级电路的输出端连接喇叭,其特征在于,所述的驱动级电路为阈值自适应驱动级,所述的阈值自适应驱动级包括两个场效应晶体管,所述的两个场效应晶体管的漏极为阈值自适应驱动级输出端,所述的阈值自适应驱动级输出端连通所述的喇叭,所述的阈值自适应驱动级控制所述的两个场效应晶体管的导通阈值,并择一导通所述的两个场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,其特征在于,所述的阈值自适应驱动级包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管以及阈值自适应控制器,所述的P型场效应晶体管的栅极和N型场效应晶体管的栅极均连接所述的脉宽调制信号,所述的P型场效应晶体管的漏极和N型场效应晶体管的漏极均连接所述的喇叭,所述的脉宽调制信号还通过所述的阈值自适应控制器连接所述的P型场效应晶体管的衬底以及N型场效应晶体管衬底,用以调节所述的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的导通电压,择一导通所述的P型场效应晶体管或N型场效应晶体管的导通电压。
3.根据权利要求2所述的免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,其特征在于,所述的阈值自适应控制器为二极管组件。
4.根据权利要求3所述的免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,其特征在于,所述的阈值自适应控制器为一个二极管,所述的脉宽调制信号通过一正向二极管连通所述的P型场效应晶体管的衬底,并通过一反向二极管连通所述的N型场效应晶体管的衬底。
5.根据权利要求3所述的免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,其特征在于,所述的阈值自适应控制器为两个二极管串接的二极管组,所述的脉宽调制信号通过两个阳极对接的二极管组连通所述的P型场效应晶体管的衬底,并通过两个阴极对接的二极管组连通所述的N型场效应晶体管的衬底。
6.根据权利要求2所述的免除死区时间的数字音频功率放大器电路结构,其特征在于,所述的阈值自适应控制器包括串接的边缘检测电路和电压选择电路,所述的边缘检测电路的输入端连接所述的脉宽调制信号,所述的电压选择电路的输出端连接所述的P型场效应晶体管的衬底以及N型场效应晶体管衬底。
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