[实用新型]基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统有效

专利信息
申请号: 201120553702.4 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN202404219U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 程志光;王晓燕;范亚娜;刘兰荣;刘涛;侯建江 申请(专利权)人: 保定天威集团有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人: 于文顺
地址: 071051 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 基于 双爱泼 斯坦 电工 钢片 损耗 测量 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统,属于电磁测量技术领域。

背景技术

电工钢片比总损耗测量的技术难点在于被测样品采用双搭接结构构成磁路,搭接部分将造成磁路不均匀,等效磁路长度难于确定。现有的爱泼斯坦方圈测量方法,尚不能准确地将被测样品均匀区域比总损耗测出。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统,解决被测样品磁通密度均匀区的比总损耗难于测量的问题。

本实用新型的技术方案是:基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统,包含、砝码盒、防护罩、样品支架、被测样品盒、励磁绕组、托板和线圈支架,励磁绕组固定在线圈支架上,线圈支架固定在托板上,被测样品盒放置在线圈支架的内部。线圈支架和被测样品盒上方放置防护罩,托板的四个角内嵌砝码盒,放置砝码。

励磁绕组、线圈支架和被测样品盒均放置在防护罩内部。

被测样品盒、线圈支架和托板均为绝缘非铁磁材料。

本实用新型分别用两个方圈测量被测样品的总损耗和总质量,然后将总损耗做差,得到被测样品磁通密度均匀区的总损耗,计算被测样品均匀区的总质量,用被测样品均匀区的总损耗除以被测样品均匀区的总质量得到被测样品的比总损耗。

本实用新型的积极效果:本实用新型分别测量两个方圈被测样品的总损耗,通过做差再与相应部分被测样品的质量相除,得到被测样品的比总损耗,解决了爱泼斯坦方圈测量等效磁路难于确定对被测样品比总损耗测量造成影响的问题;除被测样品外,其它构件制作材料均为非铁磁材料,排除了试件之外铁磁材料对测量结果的影响。本实用新型可用于各种牌号电工钢片比总损耗测量,用于变压器、电机类产品的损耗分析。

附图说明

图1是本实用新型实施例内部结构示意图;

图中:1、砝码盒  2、防护罩  3、样品支架  4、被测样品盒  5、励磁绕组  6、托板  7、线圈支架。

具体实施方式

下面结合附图,通过实施例对本实用新型做进一步说明。

基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统,包含、砝码盒、防护罩、样品支架、被测样品盒、励磁绕组、托板和线圈支架,励磁绕组5固定在线圈支架7上,线圈支架固定在托板6上,被测样品盒4放置在线圈支架的内部,线圈支架和被测样品盒上方放置防护罩2,托板的四个角内嵌砝码盒1,放置砝码。励磁绕组5、线圈支架7和被测样品盒4均放置在防护罩2内部。被测样品盒、线圈支架和托板均为绝缘非铁磁材料。

具体的测量方法为:

(1)两个测量方圈分别为25cm测量方圈和17.5cm测量方圈,分别对25cm测量方圈中的被测样品和17.5cm测量方圈中的被测样品施加励磁电流,使两个方圈中被测样品的磁通密度波形一致。

(2)根据励磁电压和电流,得到被测样品在25cm测量方圈中的总损耗Pb和被测样品在17.5cm测量方圈中的总损耗Ps,将Pb-Ps

(3)根据样品尺寸计算两个方圈被测区域的样品质量差m;

(4)被测样品均匀区的比总损耗为P=(Pb-Ps)/m;

(5)改变电源频率和电流幅值,重复步骤(1)(2)(3)(4),得到不同频率,不同磁密幅值作用下被测样品的比总损耗。

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