[实用新型]一种温度可控雪崩光电二极管组件有效
| 申请号： | 201120551456.9 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN202373563U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 黄章勇;娄永国;胡思强 | 申请（专利权）人： | 深圳市飞康技术有限公司;江西飞信光纤传感器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L23/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 可控 雪崩 光电二极管 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种温度可控雪崩光电二极管组件，包括一封装外壳，其特征在于，该外壳内设有：一APD芯片(1)和与其相邻设置的一温度传感器(2)、一热沉(3)、一光信号输入光纤(4)和一半导体致冷器(5)，所述温度传感器(2)和所述半导体致冷器(5)连接温度控制电路，所述热沉(3)的底部安装半导体致冷器(5)，所述APD芯片(1)连同温度传感器(2)一起粘装于所述热沉(3)的上表面，所述光纤(4)通过低温玻璃与热沉(3)固定并将输入光信号耦合至所述APD芯片(1)接收，将光信号转换为电信号输出。
2.根据权利要求1所述的温度可控雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述温度传感器(2)为一热敏电阻。
3.根据权利要求2所述的温度可控雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述封装外壳为双列直插封装。
4.根据权利要求2所述的温度可控雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述封装外壳为蝶型封装。
5.根据权利要求2所述的温度可控雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述封装外壳为同轴封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
