[实用新型]一种太阳能电池片及其对应的电极印刷网版有效
| 申请号: | 201120544842.5 | 申请日: | 2011-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN202434534U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
| 发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;潘世珎;赵录军 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B41F15/36 |
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| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 对应 电极 印刷 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池制造领域,具体涉及一种太阳能电池片及其对应的电极印刷网版。
背景技术
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。太阳能电池作为太阳能研究的一个核心技术内容,在近些年得到了快速的发展。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置,其中晶体硅太阳能电池是目前发展最成熟的,其在实际应用中占有主导地位。太阳能电池电极作为半导体器件晶体硅太阳能电池的一个组成部分,在电池的应用中是一个必不可少的部件。电池内部产生的电流都需要电极收集并将其引出,用以和外电路连接;另外,电极还具有对太阳能电池进行测试分筛,将整个太阳能电池焊接互联,从而增大输出功率等功能。
图1所示为现有技术的太阳能电池片的结构示意图,电池电极主栅线11的结构是呈线性均匀的长条形,线宽一般为1-2mm。这种结构的主栅线虽然电流的汇集效果很好,但其与硅板的接触面积过大,减少了有效光照面积,降低了太阳能的转化效率;同时过大的电极和硅(如Ag-Si)复合面积,在一定程度上增加了电池片的弯曲程度(电极金属材料与硅片的热膨胀系数不同,烧结冷却后,电池片会出现弯曲现象),由此产生的应力易导致电池电极主栅线的脱落;另外,电极原材料(如导电银浆)的成本较高,不利于大规模生产。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种结构合理,能够增大有效光照面积以提高太阳能电池转化效率、减少主栅线脱落概率及降低规模化生产成本的太阳能电池片及其对应的电极印刷网版。
为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种太阳能电池片,包括电池衬底及印刷在所述衬底上的电极,所述电极包括若干条主栅线,所述主栅线上有若干用作测试的节点,所述主栅线线径为0.1-1mm。
作为优选,所述主栅线的数量为2-3条。
进一步,所述主栅线上的节点为直径1-3mm的圆形。
进一步,所述主栅线上的节点为边长1-3mm的正方形。
进一步,所述主栅线的端点设有三角形节点,所述三角形节点的底边边长为1-2mm。
作为优选,所述栅线中心线将所述节点平分。
一种印刷上述太阳能电池片的网版,其上设置有用于形成所述电极的主栅线以及节点的图案。
进一步,所述网版上设有2-3条网版主栅线。
进一步,所述网版主栅线上设有直径1-3mm的镂空圆形,或者边长1-3mm的镂空正方形。。
进一步,所述网版主栅线上端部设有底边边长为1-2mm镂空三角形。
虽然主栅线的截面积减少会引起串联电阻的增加,但实验验证可知太阳能电池组件的主要电阻并不是单个电池片的主栅线。主栅线串联电阻的增加并不会给给整个太阳能电池组件带来比较明显的负面作用。
因此,本实用新型所提供的太阳能电池片能够增大太阳能电池有效光照面积、减少太阳能电池片主栅线脱落概率、降低规模化生产成本。
附图说明
图1所示为现有的太阳能电池片的结构示意图;
图2为本实用新型一种实施例的结构示意图;
图3为图2的俯视图;
图4为本实用新型另一种实施例的结构示意图;
图5为图4的俯视图。
具体实施方式
为了对本实用新型的结构、特征及其功效,能有更进一步地了解和认识,现举一较佳实施例,并结合附图详细说明如下:
实施例1
如图2所示,本实用新型所述的一种太阳能电池片,其包括电池片衬底1(如图3所示)及印刷在所述衬底上的电极2,所述电极2包括2条主栅线21,所述主栅线21为直线型,且线径为0.4mm左右。所述主栅线21每条上有12个用作测试的方形节点22和三角形节点23,其中,在主栅线21上有10个方形节点22,方形节点的边长为1.5mm左右,在主栅线21端点上有2个三角形节点23,该三角形节点23的底边边长为1.5mm左右。所述主栅线21的中心线将节点22及节点23平分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





