[实用新型]一种肖特基势垒二极管整流器件有效
| 申请号： | 201120527976.6 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN202373590U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;王凡 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 整流 器件 | ||
1.一种肖特基势垒二极管整流器件，该器件的有源区由若干肖特基势垒二极管单胞（1）并联构成；在截面上，每个单胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金属层（3），位于所述硅片（2）正面的上金属层（4），所述硅片（2）下部与所述下金属层（3）连接的第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底（5），所述硅片（2）上部与所述上金属层（4）连接的第一导电类型轻掺杂的单晶硅外延层（6），位于所述外延层（6）上部并开口于所述外延层（6）上表面的沟槽（7），相邻沟槽（7）之间外延层（6）区域形成的凸台（8），位于所述沟槽（7）中部的第一导电类型重掺杂的第一导电多晶硅区（9），位于所述沟槽（7）内部第一导电多晶硅区（9）两侧的第一导电类型重掺杂的第二导电多晶硅区（10），所述第一导电多晶硅区（9）与所述外延层（6）之间的第一隔离氧化层（11），所述第二导电多晶硅区（10）与所述外延层（6）和所述第一导电多晶硅区（9）之间的第二隔离氧化层（12）；其特征在于：所述下金属层（3）与所述衬底（5）之间形成欧姆接触；所述上金属层（4）与所述第一导电多晶硅区（9）和第二导电多晶硅区（10）的上表面连接形成欧姆接触；所述上金属层（4）与所述凸台（8）上表面连接形成肖特基势垒接触；所述第一导电多晶硅区（9）的下底面深度（d1）大于所述第二导电多晶硅区（10）的下底面深度（d2）；所述第一隔离氧化层（11）的厚度t1大于所述第二隔离氧化层（12）的厚度（t2）。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管整流器件，其特征在于：所述第一导电多晶硅区（9）下底面深度d1是所述第二导电多晶硅区（10）下底面深度d2的1.1倍至3倍。
3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管整流器件，其特征在于：所述第一隔离氧化层（11）厚度t1是所述第二隔离氧化层（12）厚度（t2）的1.1倍至10倍。
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