[实用新型]一种3DK28G、3CK2E型晶体管动态老化装置有效
| 申请号： | 201120520112.1 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202421434U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 雷巧云 | 申请（专利权）人： | 湖南航天机电设备与特种材料研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中 |
| 地址： | 410205 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dk28g ck2e 晶体管 动态 老化 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种3DK28G、3CK2E型晶体管动态老化装置，包括电源电路、脉冲产生及驱动电路、若干组老化板，每组老化板由两块老化板连接组成，其特征在于，电源电路正输出端与脉冲产生及驱动电路连接，电源电路负输出端并联接入每组老化板的两块老化板之间，脉冲产生及驱动电路通过单刀双掷开关与老化板连接；所述脉冲产生及驱动电路包括单片机、晶体振荡器、与非门和三极管，晶体振荡器并联接入单片机，与非门与单片机连接，与非门与三极管的基极连接。
2.根据权利要求1所述的3DK28G、3CK2E型晶体管动态老化装置，其特征在于，所述单片机型号为AT89C2051。
3.根据权利要求1所述的3DK28G、3CK2E型晶体管动态老化装置，其特征在于，所述与非门型号为SN75452。
4.根据权利要求1所述的3DK28G、3CK2E型晶体管动态老化装置，其特征在于，所述三极管为3DK4B三极管。
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