[实用新型]一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构有效
| 申请号: | 201120518861.0 | 申请日: | 2011-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN202390315U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
| 发明(设计)人: | 谢隆兴;陈康;郭卓越 | 申请(专利权)人: | 宸阳光电科技(厦门)有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/245 | 分类号: | C03C17/245 |
| 代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 李宁;唐绍烈 |
| 地址: | 361000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 玻璃 表面 设备 通气 改进 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及玻璃表面溅镀设备的技术领域,特指一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构。
背景技术
如图1所示,设备溅镀时,通过气管进行通入氩气,氩气在电场作用下,氩气进行电离,在磁场作用力下,进行高速撞击铟锡靶材,形成电浆,附着在基板上。如图2所示,现有的设备是使用单元双出气管1,利用上气孔11和下气孔12出气,在真空状态下溅镀。但是,如图3和图4所示,在使用时,上气孔11和下气孔12位置相对在待溅镀玻璃2两端,上气孔11可以通入气体,可以有充分的气体进行电离、溅镀,中间位置没有气孔,没有充分的气体进行电离、溅镀,下气孔12可以通入气体,可以有充分的气体进行电离、溅镀;导致电离后的电浆比较难落在中间位置,比较难满足中间的膜厚,导致直流溅镀ITO(铟锡金属氧化物,在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写)导电膜的上、中、下膜厚均匀性会达到0.5%以上,均匀性很差。
因此,本发明人对此做进一步研究,研发出一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,本案由此产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,以便提高直流溅镀ITO导电膜均匀性。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,包括单元双出气管,单元双出气管具有上气孔和下气孔,在上气孔处向上延伸出第一出气孔,向下延伸出第二出气孔;在下气孔处向上延伸出第三出气孔,向下延伸出第四出气孔。
优选的,第一出气孔和第四出气孔超出待溅镀玻璃60毫米。
优选的,第一出气孔到第二出气孔距离为142毫米,第二出气孔到第三出气孔距离为387毫米,第三出气孔到第四出气孔距离为142毫米。
采用上述方案后,本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
一、第一出气孔和第四出气孔可以满足上下位置的溅镀气体需求,从而满足对待溅镀玻璃上下溅镀的要求;
二、待溅镀玻璃中间使用第二出气孔和第三出气孔进行出气,可以满足中间位置的气体需求,可以充分进行电离、溅镀,从而增加中间溅镀膜厚与上下膜厚均衡。
附图说明
图1是现有喷溅设备的示意图;
图2是现有氩气通气管的示意图;
图3是现有氩气通气管使用时的示意图;
图4是使用现有氩气通气管喷溅设备的示意图;
图5是本实用新型喷溅设备的示意图;
图6是本实用新型的示意图;
图7是本实用新型使用时的示意图
图8是使用本实用新型喷溅设备的示意图。
标号说明
双出气管1 上气孔11 下气孔12
待溅镀玻璃2
第一出气孔13 第二出气孔14
第三出气孔15 第四出气孔16。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图5和图6所示,本实用新型揭示的一种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,包括单元双出气管1,具有上气孔11和下气孔12,还包括在上气孔11处向上延伸出第一出气孔13,向下延伸出第二出气孔14;在下气孔12处向上延伸出第三出气孔15,向下延伸出第四出气孔16。
优选的,第一出气孔13和第四出气孔16超出待溅镀玻璃2,达60mm(毫米)的距离。没有加宽的气管,玻璃边缘的电浆就比较难满足与中间位置均匀,气管加宽后,可以在比玻璃大的范围内进行镀膜,增加镀膜均匀性,稳定性。出气孔距离超出待溅镀玻璃是为了能补偿溅镀玻璃上、下膜厚的均匀性及稳定性。这样,第一出气孔13和第四出气孔16可以通入气体,可以有充分的气体进行电离和溅镀。
优选的,第一出气孔13到第二出气孔14距离为142mm,第二出气孔14到第三出气孔15距离为387mm,第三出气孔15到第四出气孔16距离为142mm,使四个出气孔呈对称分布。如图7和图8所示,在使用本实用新型溅镀玻璃时,第二出气孔14与第三出气孔15正对待溅镀玻璃2,这样,是中间占三分之二的玻璃使用双孔进行出气,确保有充分的气体进行电离和溅镀。
本实用新型通过对设备气管进行改进,使膜厚均匀性可以达到0.3%±0.05%,大大降低了现有技术中膜厚均匀性。
上述仅为本实用新型的一个具体实施例,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。
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