[实用新型]一种AC-DC芯片、系统及其高压启动控制电路

权利要求书

1.一种AC-DC芯片的高压启动控制电路，与AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端的公共连接端相连，用以控制对所述AC-DC芯片外的外挂电容C1的充电快慢，其特征在于，所述AC-DC芯片的高压启动控制电路包括：

高压启动开关管M0、二极管D0、电阻R0、电流源单元、PMOS管M 3、PMOS管M4、NMOS管M5、开关管M6和比较器U0；

所述高压启动开关管M0的高电位端接所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端，所述高压启动开关管M0的低电位端接所述二极管D0的阳极，所述二极管D0的阴极通过所述电阻R0同时接所述电流源单元的输入端、所述PMOS管M3的源极、所述PMOS管M4的源极和所述开关管M6的高电位端，所述PMOS管M3的漏极同时接所述PMOS管M3的栅极和所述电流源单元的第一输出端，所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连，所述PMOS管M4的漏极同时接所述NMOS管M5的漏极和所述开关管M6的控制端，所述NMOS管M5的栅极接所述比较器U0的输出端，所述NMOS管M5的源极与所述电流源单元的第二输出端相连并接地，所述比较器U0的同相输入端接所述开关管M6的低电位端，所述高压启动开关管M0的控制端与所述开关管M6的控制端相连，所述比较器U0的反相输入端接参考电压，所述外挂电容C1接在所述比较器U0的同相输入端与地之间。

2.如权利要求1所述的高压启动控制电路，其特征在于，所述的电流源单元包括：电阻R1、电阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7；

所述电阻R1的第一端是所述电流源单元的输入端，所述电阻R1的第二端同时接所述NMOS管M2的栅极和所述NMOS管M7的漏极，所述NMOS管M2的漏极作为所述电流源单元的第一输出端与所述PMOS管M3的漏极相连，所述NMOS管M2的源极同时接所述NMOS管M7的栅极和所述电阻R2的第一端，所述NMOS管M7的源极与所述电阻R2的第二端相连作为所述电流源单元的第二输出端。

3.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路，其特征在于，所述的高压启动开关管M0为耗尽型高压NMOS管，所述耗尽型高压NMOS管的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端，所述耗尽型高压NMOS管的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端，所述耗尽型高压NMOS管的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。

4.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路，其特征在于，所述的高压启动开关管M0为高压JFET，所述高压JFET的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端，所述高压JFET的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端，所述高压JFET的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。

5.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路，其特征在于，所述开关管M6为NMOS管，所述NMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端，所述NMOS管的漏极为所述开关管M6的高电位端，所述NMOS管的源极为所述开关管M6的低电位端。

6.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路，其特征在于，所述开关管M6为PMOS管，所述PMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端，所述PMOS管的源极为所述开关管M6的高电位端，所述PMOS管的漏极为所述开关管M6的低电位端。

7.一种AC-DC芯片，连接在AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与地之间，包括电源开关M1和电源控制电路，所述AC-DC芯片外接一个外挂电容C1，其特征在于，所述的AC-DC芯片还包括如权利要求1-6任一项所述的高压启动控制电路。

8.一种AC-DC系统，其特征在于，所述AC-DC系统包括变压器T、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R4、电感L0和如权利要求7所述的AC-DC芯片，所述变压器T的初级线圈的第一端接市电高压输入端，所述变压器T的初级线圈的第二端接所述AC-DC芯片上的电源开关M1的高电位端，所述AC-DC芯片同时接所述电容C1的第一端和所述电阻R4的第一端，所述电容C1的第二端接地，所述电阻R4的第二端接所述二极管D1的阴极，所述二极管D1的阳极通过所述电感L0与所述AC-DC芯片上的电源开关M1的低电位端相连并接地，所述变压器T的次级线圈通过所述二极管D2和所述电容C2输出低压直流电。