[实用新型]一种防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路有效
申请号: | 201120503022.1 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN202395851U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 徐浩;李俊 | 申请(专利权)人: | 深圳东志器材有限公司 |
主分类号: | H04M11/06 | 分类号: | H04M11/06;H03H7/09 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 胡坚 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防护 结构 vdsl 语音 分离器 单元 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种语音分离器单元电路,尤其是一种具有过流过压保护电路结构的VDSL局端语音分离器单元电路。
背景技术
ADSL(Asymmetric Digital Subscriber Line,非对称数字用户环路)是一种新的数据传输方式,它因为上行和下行带宽不对称,因此称为非对称数字用户线环路。它采用频分复用技术把普通的电话线分成了电话、上行和下行三个相对独立的信道,从而避免了相互之间的干扰,即使边打电话边上网,也不会发生上网速率和通话质量下降的情况。
VDSL(Very-high-bit-rate Digital Subscriber loop)高速数字用户环路,简单地说,VDSL就是ADSL的快速版本。使用VDSL,短距离内的最大下传速率可达55Mbps,上传速率可达19.2Mbps,甚至更高。
语音分离器将线路上的低频音频信号(300~3400Hz)和传输数据的高频数字调制信号(20KHz~4.4MHz/12MHz)有效分离,然后将音频信号送入PSTN(Public Switched Telephone Network)交换机或POTS(Plain Old Telephone Service)电话机、传真机等,将高频数字调制信号送入DSLAM(DSL Access Multiplexer)/DSL MODEM调制解调器。
现有语音分离器都是由电感、电容和电阻被动器件构成的多阶滤波器电路,目前所使用的电路,对于VDSL分离器,一般的做法是使用气体放电管放在分离器第一阶电感的前面,以保护放电管之后的所有电路。但气体放电管成本高,开启电压范围很宽,离散性大,长期使用还有漏气的问题,如果使用半导体放电管,相对成本低,开启电压离散性小,但半导体放电管的结电容很大,对高频应用时不能满足产品的指标要求。
实用新型内容
本实用新型即是针对目前分离器中过压保护电路存在的上述缺陷,设计一种具有新的保护结构的VDSL局端语音分离器单元电路。
本实用新型的设计思路是将半导体放电管放在分离器第一阶电感的后面,第一阶电感采用双槽结构,匝间电容小,两个绕组间有骨架隔开,有很高的耐压强度。因有第一阶电感的隔离作用,半导体放电管的结电容就可以不作考虑了。实现了成本的降低以及精确防护的目的。
固体放电管又称为半导体放电管,是通信领域中的一种防雷击器件,是气体放电管、压敏电阻的更新换代产品。当外加雷电感应电压上升到其击穿电压时,半导体放电管呈雪崩三极管的曲线动作,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围,半导体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。
具体来说,本实用新型所述的防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路,其特征在于:所述的单元电路包括第一阶电感、半导体放电管和LC滤波电路,其中,半导体放电管并联在第一阶电感之后,在LC滤波电路之前。
所述的防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路,其中,第一阶电感采用双槽结构,两个绕组间有骨架隔开。
所述的防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路,其中,所述的LC滤波电路包括绕组间有骨架隔开的双槽电感,双槽电感的两端各并联一个电容,每个绕组也各与一个电容并联。
并联的电容器在输入电压升高时,给电容器充电,可把部分能量储存在电容器中;而当输入电压降低时,电容两端放电,就可以把存储的能量释放出来。经过滤波电路向负载放电,负载上得到的输出电压就比较平滑,起到了平波的作用。若采用电感滤波,当输入电压增高时,与负载串联的电感中的电流增加,因此电感将存储部分磁场能量,当电流减小时,又将能量释放出来,使负载电流变得平滑,因此电感也有平波作用。
本实用新型所述的防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路,因有第一阶电感的隔离作用,半导体放电管的结电容就可以不作考虑了,实现了成本的降低以及精确防护的目的。
附图说明
图1为现有分离器保护电路的电路框图;
图2为本实用新型实施例的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型所述的防护结构的VDSL局端语音分离器单元电路进行描述,目的是为了公众更好的理解本实用新型所述的技术内容,而不是对所述技术内容的限制,事实上,在以与本实用新型所述相同或近似的原理,对单元电路所做的改进,都在本实用新型所要求保护的技术方案之内。
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