[实用新型]一种移动式制冷装置有效
| 申请号： | 201120499291.5 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN202423312U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黄初旺 | 申请（专利权）人： | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/075;H02N6/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 彭愿洁;李文红 |
| 地址： | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 移动式 制冷 装置 | ||
1.一种移动式制冷装置，其特征在于，包括：底座、薄膜光伏组件、控制电路和制冷设备，所述底座用于承载制冷设备，所述薄膜光伏组件、控制电路和制冷设备依次电连接，所述薄膜光伏组件吸收太阳光，将太阳能转化为直流电能，控制电路将薄膜光伏组件提供的直流电能转换成制冷设备可用的电能。
2.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述薄膜光伏组件的结构由光入射面依序为：玻璃层、透明导电层、非晶硅层、微晶硅层和背电极。
3.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述薄膜光伏组件的结构由光入射面依序为：玻璃层、透明导电层、非晶硅层和背电极。
4.如权利要求2或3所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述非晶硅层包括p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层，其中，p型半导体层作为薄膜光伏组件的正极，厚度为14nm至20nm；本征半导体层为光吸收层，厚度为220nm至280nm；n型半导体层作为薄膜光伏组件的负极，厚度为20nm至40nm。
5.如权利要求2所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述微晶硅层包括p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层，其中，p型半导体层作为薄膜光伏组件的正极，厚度为15nm至20nm；本征半导体层为光吸收层，厚度为1300nm至1700nm；n型半导体层作为薄膜光伏组件的负极，厚度为15nm至20nm。
6.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述底座的底部装有多个万向滑轮。
7.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述薄膜光伏组件以支撑立柱固定连接至底座或制冷设备。
8.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述薄膜光伏组件安装于制冷设备的侧表面或顶面上。
9.如权利要求1或8所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述制冷设备包括冷藏室箱体和安装于冷藏室箱体外侧的透明拉门，所述薄膜光伏组件依附在该透明拉门的外表面上。
10.如权利要求1或8所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述制冷装置包括冷藏室箱体和外表面为薄膜光伏组件的拉门，所述拉门安装于冷藏室箱体外侧。
11.如权利要求1所述的移动式制冷装置，其特征在于，所述控制电路包括逆变器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杜邦太阳能有限公司，未经杜邦太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120499291.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种悬挂装置及使用该悬挂装置的吊篮
- 下一篇：螺旋升降机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
