[实用新型]单片集成电路制作的助听器

说明书

技术领域

本实用新型属于电子与音频放大技术领域，是关于一种单片集成电路制作的助听器。

背景技术

一般助听器多用专用集成功放电路设计制作，其电路中的集成电路外围元件较多，且电路结构较为复杂。本实用新型所述的单片集成电路制作的助听器所用的TDA2822M集成功放电路，它常用在随身听、便携式的微小型收录机、电脑音响中作功率放大、DVD等音响设备上；该集成电路具有集成度高、外围元件少、且工作电压范围宽、在电压低于1.8V时仍能正常工作、具有静态电流小、耗电少、音质好等特点。本实用新型用TDA2822M制作的助听器有着电路简单、输出功率完全满足听觉有障碍人的要求，解决或弥补了市场上有些助听器存在的一些缺憾等问题。

以下详细说明这种单片集成电路制作的助听器制作所涉及的有关技术内容。

实用新型内容

发明目的及有益效果：本实用新型所述的单片集成电路制作的助听器采用分立元件和集成功放电路组合而成。该助听器有着电路结构简单、外围元件少、交叉失真小、音质好、且工作电压低、静态电流小耗电少、输出功率完全能够满足听觉有障碍人的要求等特点，是一种价廉物美的助听器，解决或弥补了市场上有些助听器存在一些缺憾等问题。

电路工作原理：附图1中由硅晶体管BG1和电阻R2接成射极跟随器，采用此电路可以提高驻极体话筒MIC的音质，采用一块TDA2822M集成功放电路IC1接成典型的单通道BTL方式放大电路，扩音效果及音质均令人满意。由于集成功放电路IC1为直接耦合，所以输入的信号不能带直流成分，为了防止输入音频信号中有直流成分，在集成功放电路IC1的输入端串接一只电解电容C1用于隔直流，否则将会有很大的直流电流流过耳塞机，使之发热或烧毁。电容C4是为改善音频信号的音质，为保证音频信号的输出质量，应选用高阻耳塞机为宜。

技术方案：单片集成电路制作的助听器，由3V直流电源、拾音电路及射极跟随器、音频信号调节电路和BTL方式放大电路组成，其特征在于：

拾音电路及射极跟随器：硅晶体管BG1的基极与电阻R1的一端及驻极体话筒MIC的输入端相连，驻极体话筒MIC的外壳端接电路地GND，硅晶体管BG1的集电极接3V直流电源的正极VCC，硅晶体管BG1的发射极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路地GND；

音频信号调节电路：电解电容C1负极接硅晶体管BG1的发射极，电解电容C1正极串接电位器RP后接电路地GND，电位器RP的活动臂接集成功放电路IC1的7脚；

BTL方式放大电路：BTL方式放大电路中使用的集成功放电路IC1的型号为TDA2822M，集成功放电路IC1的7脚接电位器RP的活动臂，集成功放电路IC1的8脚接电解电容C2的正极，集成功放电路IC1的5脚接电解电容C2的负极和电容C3的一端，电容C3的另一端接电路地GND，集成功放电路IC1的4脚与6脚接电路地GND，集成功放电路IC1的2脚接3V直流电源的正极VCC，集成功放电路IC1的1脚接电容C4的一端和耳塞机SY的一端，集成功放电路IC1的3脚接电容C4的另一端和耳塞机SY的另一端。

附图说明

附图1是本实用新型提供一个单片集成电路制作的助听器的实施例电路工作原理图；为减少电磁信号的干扰，要求驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND。

具体实施方式

按照附图1所示单片集成电路制作的助听器的电路工作原理图和附图说明及以下所述的元器件技术要求进行实施，即可实现本实用新型。

元器件的选择及技术参数

IC1为集成功放电路，型号为TDA2822，其有两种封装形式，TDA2822为16脚双列直插封装结构，TDA2822M为8脚双列直插式封装结构，两者内部电路相同，本实用新型实施例中选用的是TDA2822M集成电路；它们的区别在于：TDA2822M的工作电压范围从3～15V均可，而TDA2822集成电路的最高工作电压不能超过8V；

硅晶体管BG1选用2SC9014等型号，要求硅晶体管的放大倍数β≥120；

电阻使用RTX-1/16W型金属膜电阻、电阻R1的阻值100KΩ、电阻R2的阻值1KΩ；RP选用实心电位器，其阻值为22KΩ；

C1～C2选耐压为16V的电解电容，容量均为10μF；

C3～C4选用涤纶电容，其容量分别是0.01μF、0.047μF；

MIC为驻极体话筒，选用两输出端子的驻极体话筒，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND；