[实用新型]一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池有效
| 申请号： | 201120496612.6 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN202677861U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 熊平;郭萍;李广;谢玉琪 | 申请（专利权）人： | 郭萍;南华大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421001 湖南省衡阳*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 辐射 伏特 效应 同位素 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅β辐射伏特效应同位素电池，该同位素电池至少包含一个β辐射伏特效应放射源、两个多晶硅PN结和一个屏蔽盒，其特征在于同位素电池由两个多晶硅PN结的N型半导体相对，中间夹有β辐射伏特效应放射源并将多晶硅PN结置于屏蔽盒内。
2.按照权利要求书1所述的多晶硅β辐射伏特效应同位素电池，其特征在于β辐射伏特效应放射源是63Ni长寿命放射性同位素材料。
3.按照权利要求书1所述的多晶硅β辐射伏特效应同位素电池，其特征在于屏蔽盒是含铅防辐射玻璃盒。
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