[实用新型]贴片式大功率LED灯珠有效
申请号: | 201120495512.1 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN202384333U | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 程志坚;任瑞奇;李俊东 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人: | 罗兴元 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴片式 大功率 led 灯珠 | ||
技术领域
本实用新型涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的适用于光发射的半导体器件,特别是涉及贴片式大功率LED灯珠。
背景技术
近年来,LED(Light Emitting Diode,发光二极管)的应用得到飞速的发展。仿流明式1W大功率灯珠一般包括支架和LED晶片,支架又包括腔体、导热铜柱以及第一电极和第二电极;第一电极和第二电极分别与处于腔体内的正极焊盘区和负极焊盘区电性连接或一体成型; LED晶片固定在导热铜柱上顶面,并借助金线焊接至正极焊盘区和负极焊盘区,使LED晶片的正、负极分别与第一电极和第二电极电连接。现有技术中,LED晶片为一颗1W型大功率LED晶片,驱动电压一般为3.0-3.5V,工作电流通常为350MA左右,存在LED晶片老化快、LED灯珠光通量衰减快、可靠性不高等不足。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种老化衰减慢、可靠性高的贴片式大功率LED灯珠。
本实用新型解决所述技术问题可以通过采用以下技术方案来实现:
设计、制作一种贴片式大功率LED灯珠,包括支架和LED晶片,所述支架又包括腔体、导热铜柱以及第一电极和第二电极;所述第一电极和第二电极分别与处于腔体内的正极焊盘区和负极焊盘区电性连接或一体成型;所述LED晶片固定在所述导热铜柱上顶面,并借助金线焊接至正极焊盘区和负极焊盘区,使LED晶片的正、负极分别与所述第一电极和第二电极电连接;所述LED晶片有三颗,均为中功率贴片式LED晶片,所述正极焊盘区和负极焊盘区均分为三块小的正、负极焊盘区,各所述LED晶片分别借助金线与就近正、负极焊盘区焊线连接。
三颗所述LED晶片均匀排列呈“ 1”字形。
三颗所述LED晶片均匀排列呈“ 品”字形。
同现有技术相比较,本实用新型贴片式大功率LED灯珠的技术效果在于:采用三颗中功率LED晶片,封装成1W的大功率LED灯珠,每颗晶片的工作电流100MA左右,因此,LED晶片的老化和衰减较慢,LED灯珠的可靠性高,寿命长。
附图说明
图1是本实用新型贴片式大功率LED灯珠的剖视结构示意图;
具体实施方式
以下结合附图所示之优选实施例作进一步详述。
本实用新型贴片式大功率LED灯珠,如图1所示,包括支架10和LED晶片20,所述支架10又包括腔体11、导热铜柱12以及第一电极13和第二电极14;所述第一电极13和第二电极14分别与处于腔体11内的正极焊盘区131和负极焊盘区141电性连接或一体成型;所述LED晶片20固定在所述导热铜柱12上顶面,并借助金线30焊接至正极焊盘区131和负极焊盘区141,使LED晶片20的正、负极分别与所述第一电极13和第二电极14电连接;LED晶片上方覆盖有荧光粉和胶水层(图中未画出);所述LED晶片20有三颗,均为中功率贴片式LED晶片,所述正极焊盘区131和负极焊盘区141均分为三块小的正、负极焊盘区,各所述LED晶片20分别借助金线30与就近正、负极焊盘区焊线连接。
本实用新型中,根据产品的需要,三颗所述LED晶片均匀排列呈“ 1”字形或“ 品”字形,这样有利于焊线的加工,并保证灯珠的光斑均匀性效果。图中,“品”字形的情形未画出。
以上内容是结合具体的优选技术方案对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。
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