[实用新型]一种用于装载芯片封装体的料管有效
申请号: | 201120494891.2 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN202564190U | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 尹静;张德洪;陶琨;朱煜珂 | 申请(专利权)人: | 无锡华润安盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张懿;王忠忠 |
地址: | 214028 中*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 装载 芯片 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于装载芯片封装体的料管。
背景技术
IC封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其他器件连接,而封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。芯片封装不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,通过封装可防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。IC封装技术中,需要根据不同电路芯片的电路功能要求选择封装形式以及封装工艺。
SOP封装是一种很常见的封装形式,它又被称作小外形封装,始于70年代末期。SOP封装的应用范围很广,而且以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。OCSSOP(Open Cover Small Ooutline Package)则是一种开腔式的SSOP型封装。在图1中示例性地示出了采用OCSSOP封装形式的封装体的截面。
封装成形的芯片通常会被集中装在对应于各种封装形式的料管中。目前市场上常见的用于装载采用OCSSOP封装形式或与其相似的芯片封装体的通用型料管没能考虑产品厚度与料管高度及壁厚的匹配性,产品在料管内有较大的空隙使之晃动,造成产品之间的重叠及卡料、旋转现象。如果要进行正常的外观检验,在卡料后就要重重地敲击整个料管,以便能够使得整个封装体在料管内的移动。这样就有造成产品的引脚变形、测试成品率下降的隐患。
鉴于此,有必要设计一种新型的专门适用于装载采用OCSSOP或与其相似的封装形式的封装体的料管以避免以上问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供改进的适于装载采用OCSSOP或与其相似的封装形式的芯片的料管以克服上述现有技术中存在的、不利于生产的缺陷。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种用于装载芯片封装体的料管,所述料管内设有用于容纳采用OCSSOP或与其相似的封装形式的封装体的内腔,所述封装体以横截面对准的方式装载于所述料管中;其特征在于,所述料管具有与所述封装体的尺寸相匹配的内腔尺寸以及壁厚。
优选地,所述料管内腔的最大高度为3.8±0.2 mm。
优选地,所述料管内腔的用于装载所述封装体的引脚的部分的高度为2.7±0.2 mm。
优选地,所述料管内腔的最大宽度为7.0±0.2 mm。
优选地,所述料管内腔的用于装载所述封装体的主体的部分的宽度为4.6±0.2 mm。
优选地,所述料管的顶壁厚度大于所述料管的底壁厚度。
优选地,所述料管的顶壁厚度为0.8±0.1 mm。
优选地,所述料管的底壁厚度为0.5±0.1 mm。
优选地,所述料管的侧壁厚度为0.7±0.1 mm。
优选地,在所述料管的底壁中部设置有凹槽,并且所述凹槽的宽度为2.2±0.1 mm。
采用本实用新型所提供的料管能够大大改善采用OCSSOP或与其相似的封装形式的芯片在料管内的卡料问题,减少了由于产品在料管内的重叠或反转而需要敲击料管才能把产品全部拿出的状况,从而避免由此引起的测试成品率的下降。
附图说明
以下将结合附图和实施例,对本实用新型的技术方案作进一步的详细描述。
其中:图1是采用OCSSOP封装形式的封装体的截面图。
图2是根据本实用新型的一个实施例的料管的示意图。
图3是图2所示的料管的截面图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点更加明显易懂,以下结合附图和具体实施例进一步详细描述本实用新型。需要说明的是,附图中的各结构只是示意性的而不是限定性的,以使本领域普通技术人员能够最佳地理解本实用新型的原理,其不一定按比例绘制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造