[实用新型]一种声表面波滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。

背景技术

随着通讯技术的发展进步，对通讯基站的要求也越来越高。在低频段，更需要一种相对带宽较窄、抑制度较高的滤波器来对信号进行有效地过滤，同时对带外的信号进行高度的抑制，保证通带内信号的无干扰传送。而现有的滤波设备无法实现在通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种应用于通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种声表面波滤波器，包括基片，所述采用42度ST切型的水晶晶片，所述基片采用双DCMA对称结构设置。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的声表面波滤波器，采用42度ST切型的水晶晶片，实现了产品频率的零温飘；芯片的结构设计上，采用双DCMA对称结构的芯片设计方案，实现了产品的高抑制度。通过采用双DCMA对称结构的芯片设计方案和42度ST切型的水晶晶片，实现了产品的窄带滤波，使相对带宽仅为3.9％。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的封装结构示意图。

具体实施方式

本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述采用42度ST切型的水晶晶片，所述基片采用双DCMA对称结构设置。

具体的，芯片的结构设计上，采用双DCMA对称结构的芯片设计方案，实现了产品的高抑制度。在材料的选取上，采用42度ST切型的水晶晶片，实现了产品频率的零温飘；通过芯片结构上的设计和材料上的选取，实现了产品的窄带滤波，窄带滤波的相对带宽为3.9％，抑制大于45dB。

制作中要解决的关键问题是工艺问题。声表面波器件的制作采用的半导体IC器件制作工艺，但又不同于一般的IC制作，不要求多层套刻，但对指条的光刻质量和芯片表面质量要求比IC高。因此在声表波器件制作过程中，镀膜和光刻工艺都是关键工艺。本发明中的滤波器的频率为10M。由于频率较低，故在工艺生产过程中要求产品的铝膜较厚，达到了2万埃以上。这就对光刻工艺提出了更严格的要求。在实际生产中，我们通过增加曝光能量和延长曝光时间的方法，使产品能够充分曝光。严格控制显影和腐蚀的过程时间，最终研制出了合格产品。

该产品的电性能指标如下：

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。