[实用新型]一种声表面波滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。

背景技术

直放站属于同频放大设备，是在无线通信传输过程中起到信号增强的一种无线电发射中转设备。直放站的基本功能就是一个射频信号功率增强器。直放站在下行链路中，由施主天线现有的覆盖区域中拾取信号，通过带通滤波器对带通外的信号进行极好的隔离，将滤波的信号经功放放大后再次发射到待覆盖区域。而现有的滤波设备无法实现在直放站信号接收部分的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种应用于直放站的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用YZ切型的铌酸锂晶片，所述基片采用REMEZ优化设计以及双衍射补偿结构设置。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的声表面波滤波器，采用YZ切型的铌酸锂晶片，使产品具有了实现大带宽的可能；芯片的结构设计上，采用REMEZ优化设计+双衍射补偿结构的设计方案，在有效增大带宽和抑制效果的同时，实现了产品的高矩形度。通过两者的结合，实现了产品的大带宽，使相对带宽≥26.67％，带外抑制达到了50dB，而其矩形系数仅1.04。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的封装结构示意图。

具体实施方式

本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述基片采用YZ切型的铌酸锂晶片，所述基片采用REMEZ优化设计以及双衍射补偿结构设置。

具体的，在材料的选取上，采用YZ切型的水晶晶片，使得产品的带宽能够做大；芯片的结构设计上，采用REMEZ优化设计+双衍射补偿结构的设计方案，叉指换能器中间部分进行REMEZ加权，有效的增大了产品的带宽。

同时由于采用REMEZ优化设计+双衍射补偿结构的设计方案，使得产品的带外抑制达到了50dB，而其矩形系数则只有1.04，相对带宽≥27.45％。

制作中要解决的关键问题是工艺问题。声表面波器件的制作采用的半导体IC器件制作工艺，但又不同于一般的IC制作，不要求多层套刻，但对指条的光刻质量和芯片表面质量要求比IC高。因此在声表波器件制作过程中，镀膜和光刻工艺都是关键工艺。本实用新型中的滤波器的频率为70M。由于频率较低，故在工艺生产过程中要求产品的铝膜较厚，并且图形的条宽较窄。铝膜厚度达到了1万埃以上，而条宽只有1.2μm。在实际生产中，我们通过增加曝光能量和延长曝光时间的方法，使产品能够充分曝光。严格控制显影和腐蚀的过程时间，最终研制出了合格产品。

该产品的电性能指标如下：

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。