[实用新型]多基岛露出单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构有效
| 申请号： | 201120473881.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN202394916U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/60 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多基岛 露出 单圈脚 静电 释放 无源 器件 阵列 封装 结构 | ||
1.一种多基岛露出单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构，其特征在于：它包括外基岛（1）、外引脚（2）和外静电释放圈（3），所述外基岛（1）设置有多个，所述外引脚（2）设置有一圈，所述外静电释放圈（3）设置于外基岛（1）与外引脚（2）之间，所述外引脚（2）正面通过多层电镀方式形成内引脚（5），所述外基岛（1）正面设置有芯片（7），所述芯片（7）正面与内引脚（5）正面之间以及芯片（7）正面与芯片（7）正面之间用金属线（8）连接，所述内引脚（5）与内引脚（5）之间跨接有无源器件（13），所述内引脚（5）上部以及芯片（7）、金属线（8）和无源器件（13）外包封有塑封料（9），所述外引脚（2）外围的区域、外基岛（1）与外静电释放圈（3）之间的区域、外静电释放圈（3）与外引脚（2）之间的区域以及外引脚（2）与外引脚（2）之间的区域均嵌置有填缝剂（12），且外基岛（1）、外引脚（2）和外静电释放圈（3）的背面露出填缝剂（12）外，在露出填缝剂（12）外的外基岛（1）、外引脚（2）和外静电释放圈（3）的背面设置有锡球（11）。
2.根据权利要求1所述的一种多基岛露出单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构，其特征在于：所述外基岛（1）正面通过多层电镀方式形成内基岛（4），所述芯片（7）设置于内基岛（4）正面。
3.根据权利要求1或2所述的一种多基岛露出单圈脚静电释放圈无源器件球栅阵列封装结构，其特征在于：所述外静电释放圈（3）正面通过多层电镀方式形成内静电释放圈（6）。
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