[实用新型]发光装置及光学装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光装置及光学装置。 

背景技术

图49是表示现有的发光装置的一例的立体图(例如参照专利文献1)。图50是图49所示的发光装置的主要部分剖面图。这些图所示的发光装置900包含基板91、芯片焊接(die bond)用导体图案92、接线接合用导体图案93、LED(1ight-emitting diode，发光二极管)芯片94及接线95。 

在基板91的表面916侧，形成了芯片焊接用凹部911及LED安装用凹部912。芯片焊接用凹部911是形成于LED安装用凹部912的底面919。芯片焊接用凹部911及LED安装用凹部912均为倒立圆锥台状。芯片焊接用凹部911的侧面918是反射LED芯片94的光的反射面。导体图案92是从基板91的表面916延伸设置到芯片焊接用凹部911的底面917为止。导体图案93是从基板91的表面916延伸设置到LED安装用凹部912的底面919为止。LED芯片94是配置于芯片焊接用凹部911的底面917，与导体图案92的一端导通。接线95与LED芯片94及导体图案93连接。 

近年来，业界存在希望增大发光装置900的基板91的厚度方向上的光的放射强度的迫切要求。为此，可以考虑加深芯片焊接用凹部911的深度。然而，芯片焊接用凹部911是形成于LED安装用凹部912的底面919，所以芯片焊接用凹部911的深度不得不为从底面917到底面919的程度的大小。因此，无法充分增大侧面918，从而发光装置900无法充分满足所述迫切要求。 

[先行技术文献] 

[专利文献] 

[专利文献1]日本专利第2914097号公报 

实用新型内容

[实用新型所欲解决的问题] 

本实用新型是基于上述情况而考虑出来的，主要课题在于提供一种能够提高单方向上的放射强度的发光装置。 

[解决问题的技术手段] 

由本实用新型的第1方面所提供的发光装置包含基板、与所述基板接合的透镜、及与所述基板接合并且在夹于所述基板与所述透镜之间的空隙中露出的裸晶LED，所述透镜具有在所述基板的厚度方向中于从所述基板朝向所述裸晶LED的方向鼓出，并且射出来自所述裸晶LED的光的光出射面。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述透镜具有在所述基板的厚度方向中于从所述基板朝向所述裸晶LED的方向上与所述裸晶LED相间隔，并且供来自所述裸晶LED的光入射的光入射面。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述基板包含朝向与所述基板的厚度方向中从所述基板向所述裸晶LED的方向正交的方向的一侧的第1基板侧面、以及朝向与所述第1基板侧面相反之侧的第2基板侧面，所述透镜进而包含与所述第1基板侧面处于同一平面的第1透镜侧面、以及与所述第2基板侧面处于同一平面的第2透镜侧面。 

在本实用新型的优选实施方式中，形成了位于所述透镜与所述基板之间，并且与所述空隙及所述光出射面所面对的空间相通的通气孔。 

在本实用新型的优选实施方式中，在所述透镜上形成了规定所述通气孔的沟槽。 

在本实用新型的优选实施方式中，进而包含形成于所述基板上的主面导电体层，并且在所述主面导电体层上，形成了规定所述通气孔的间隙。 

在本实用新型的优选实施方式中，进而包含位于所述基板与所述透镜之间并且将所述基板与所述透镜加以接合的接合层。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述接合层包含接合片材(bonding sheet)。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述接合层包含液体黏接剂。 

在本实用新型的优选实施方式中，进而包含形成于所述基板中与配置了所述裸晶LED之侧相反之侧的背面导电体层，所述背面导电体层包含朝向与所述第1基板侧面所朝向之侧相同之侧并且具有与所述第1基板侧面相隔离的部位的端面。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述端面包含与所述第1基板侧面处于同一平面的部位。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述光入射面为平面状。 

在本实用新型的优选实施方式中，所述光入射面是朝向所述基板的厚度方向中从所述裸晶LED向所述基板的方向鼓出。 

在本实用新型的优选实施方式中，进而包含形成于所述基板上的主面导电体层、与所述主面导电体层和所述裸晶LED接合的金属线(wire)、及覆盖所述金属线与所述主面导电体层的接合部位的保护膜。