[实用新型]无基岛芯片倒装无源器件封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统的引线框结构主要有两种：

第一种：采用金属基板进行化学蚀刻及电镀后，在金属基板的背面贴上一层耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体（如图3所示）；

第二种：采用首先在金属基板的背面进行化学半蚀刻，再将前述已经过化学半蚀刻的区域进行塑封料的包封，之后将金属基板的正面进行内引脚的化学蚀刻，完成后再进行引线框内引脚表面的电镀，即完成引线框的制作（如图5所示）。

而上述两种引线框在封装过程中存在了以下不足点：

第一种：

1、此种的引线框架因背面必须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜，所以直接增加了高昂的成本；

2、也因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过程中的装片工序时需要使用300℃高温锡材与引线框的内脚进行互联，而引线框背面因为要预防对装工艺流程中的塑封工序造成的溢料须贴上抗高温的软性胶膜，虽然是抗高温形态，但也只能承受约260℃的温度，完全不能适应芯片倒装所需要的300℃高温锡材与引线框的内脚进行互联能力。

3、再因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的塑封工艺过程，因为塑封时的注胶压力很容易造成引线框架与胶膜之间渗入塑封料，而将原本应属金属脚是导电的型态因为渗入了塑封料反而变成了绝缘脚（如图4所示）。

第二种：

1、因为分别进行了二次的蚀刻作业，所以多增加了工序作业的成本；

2、引线框的组成是金属物质加环氧树脂物质（塑封料）所以在高温下300℃高温锡材与引线框的内脚进行互联时，容易因为不同物质的膨胀与收缩应力的不相同，产生引线框翘曲问题；

3、也因为引线框的翘曲直接影响到封装工序中的装置芯片的精准度与引线框传送过程的顺畅从而影响生产良率；

4、因为引线框正面的内引脚是采用蚀刻的技术，所以蚀刻内引脚的脚宽必须大于100μm，而内引脚与内引脚的间隙也必须大于100μm，所以较难做到内引脚的高密度能力。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，可选择的产品种类广，芯片倒装键合的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。 

本实用新型的目的是这样实现的：一种无基岛芯片倒装无源器件封装结构，其特点是：它包括外引脚，所述外引脚正面通过多层电镀方式形成内引脚，所述内引脚正面与内引脚正面之间跨接有芯片和无源器件，所述内引脚正面与芯片之间设置有锡球，所述内引脚上部以及芯片外包封有塑封料，所述外引脚外围的区域以及外引脚与外引脚之间的区域均嵌置有填缝剂，且外引脚的背面露出填缝剂外，在露出填缝剂外的外引脚背面设置有第二金属层。

所述第一金属层可以采用镍、铜、镍、钯、金五层金属层或镍、铜、银三层金属层，或者其他类似结构。以镍、铜、镍、钯、金五层金属层为例，其中第一层镍层主要起到抗蚀刻阻挡层的作用，而中间的铜层、镍层和钯层主要起结合增高的作用，最外层的金层主要起到与金属线键合的作用。

所述第二金属层的成分根据不同的芯片可以采用金镍金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钯金、镍金、银或锡等。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、此种引线框的背面不需贴上一层昂贵的可抗高温的胶膜，所以直接降低了高昂的成本；

2、也因为此种引线框的背面不需要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在芯片倒装所需使用的300℃高温锡材与引线框的内脚进行互联时，全金属的引线框不会产生因不同物质在高温所产生的对应变形；

3、再因为此种的引线框的背面不需要贴上一层可抗高温的胶膜，因而在封装的工艺过程中完全不会造成引线框与胶膜之间渗入塑封料；

4、由于正面采用了细线电镀的方法，所以正面的引脚宽度最小可以达到25μm，以及内引脚与内引脚之间的距离最小达到25μm，充分地体现出引线框内引脚的高密度能力；

5、由于应用了正面内引脚的电镀方式与背面蚀刻技术，所以能够将引线框正面的引脚尽可能的延伸到基岛的旁边，促使芯片与引脚距离大幅的缩短，如此芯片的散热能力也因距离缩短而加速散热；