[实用新型]用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形有效
申请号: | 201120465403.5 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN202473938U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 崔鹏超;李华;李文;钱应五 | 申请(专利权)人: | 浙江正国太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 314500 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 选择性 发射极 太阳能电池 正银栅 线图 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种发射极太阳能电池的栅线图形,尤其是一种用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形。
背景技术
太阳能电池是一种能量转换的光电元件,经由太阳辐射光照射后,把光的能量转换成电能。其基本原理是利用P-N结的光生伏特效应将光能转化成电能,由于太阳能环保、无污染,属于可再生资源,已逐渐成为一种重要的发电方式,开发利用太阳能成为国际社会的一大主题和共同行动,成为各国制定可持续发展战略的重要内容。
目前,在晶体硅太阳能电池行业竞争越来越激烈,都在追求高转化效率,低成本战略,选择性发射极太阳能电池也成为一种非常实用的工艺技术。在晶硅太阳能电池工艺成本中,丝网印刷浆料的使用成本占了一大半的比例,在这部分成本中正电极银浆的使用量又占75%的成本比例。因此要降低成本增效,正电极银浆的使用量是一个重要的因素,就要对使用的正电极图形进行重新改善设计。
选择性发射极太阳能电池(Selective Emitter Solar Cells),即在金属栅线(电极)与硅片接触的部位进行重掺杂,在电极之间的位置进行轻掺杂。这样可以降低扩散层的复合,提高光线的短波响应,同时减少前金属电极和硅片的接触电阻,使得短路电流、开路电压和填充因子得到较好的改善,从而提高转换效率。工艺实施方法基本步骤是:(1)原始硅片进行酸制绒、清洗、烘干;(2)进行磷扩散工序;(3)对扩散面进行印刷腐蚀性磷浆、烘干,主要是降低非栅线区域的掺杂浓度,减少光电流的复合;(4)对磷浆进行碱超声清洗、烘干;(5)刻蚀、清洗、烘干;(6)进行PECVD镀SIN膜;(7)丝网印刷背电极、背电场、印刷正银电极、烧结;(8)测试机测试、分检。
现在选择性发射极太阳能电池的正电极栅线都采用直线状,为了达到降低成本,提升效率的目的,栅线的宽度和高度一直在变窄、变低。栅线的宽度进行变窄设计后,就会对印刷的质量产生一定的影响,相应的会对使用浆料的化学性质有所变化,使用的网版型号也会进行调整,网版的使用成本将会呈倍数递增;随着栅线宽度的变窄,为了不影响电池的整体电性能,就会增加栅线的条数,假如说下游组件商对栅线条数有限制条件的话,贸然的增加栅线数量就会对下游电池组件商造成很大的影响。
在上述情况下,既要不增加栅线的条数,又要达到降低成本,提升效率的目的,就需要在原栅线宽度不变的情况下,对现有栅线进行重新设计。设计就要充分考虑到实用性,可操作性的要求。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而设计的一种可增加光的接受面积、提高短路电流、节约银浆的用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形。
本实用新型所设计的用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形,包括栅线,所述栅线周边设有内凹锯齿。作为优选:
所述的内凹锯齿状为多边形的一部分,均匀分布在栅线内侧;每个内凹锯齿间间隔不超过5mm;所述多边形的边长度为栅线宽度的20%-45%;
所述的内凹锯齿,形状为等边三角形的一部份,锯齿间间隔为0mm,遮光面积为总遮光面积的0.20%;所述三角形边长为栅线宽度的45%;
所述栅线的宽度为70μm-100μm;
本实用新型所得的用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形,具有的优点是:
1、本图形在栅线内采用内凹锯齿状设计,增加了光的接受面积,增加光生电流的产生,提高短路电流;
2、本图形使用栅线内凹锯齿状后,维持了原栅线宽度不变的情况下,减少了银浆料的使用耗量。
附图说明
图1是实施例1结构示意图;
图2是实施例1中栅线的放大图;
图中:栅线1、内凹锯齿2。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1:
如图1所示,本实施例所描述的用于选择性发射极太阳能电池的正银栅线图形,包括栅线1,所述栅线1周边设有内凹锯齿2,所述的内凹锯齿2,形状为等边三角形的一部份,锯齿间间隔为0mm。
作为本实施例的替代:
可以是遮光面积为总遮光面积的0.20%;所述三角形边长为栅线1宽度的45%;
也可以是所述的内凹锯齿2状为多边形的一部分,均匀分布在栅线1内侧;每个内凹锯齿2间间隔不超过5mm;所述多边形的边长度为栅线1宽度的20%-45%;
所述栅线1的宽度为70μm-100μm;
本实实施例具有的优点是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的