[实用新型]干刻蚀底部电极及干刻蚀装置有效
| 申请号： | 201120453529.0 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202307791U | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 董云;彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 底部 电极 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种干刻蚀底部电极，其特征在于，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。
2.根据权利要求1所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，还包括：设置在所述电极底板和所述半球形结构支撑凸起上的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述绝缘层的材质为陶瓷。
4.根据权利要求1～3任一项所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述半球形结构支撑凸起在所述电极底板上的投影圆直径为1.24mm。
5.根据权利要求4所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的半球形结构支撑凸起的高度为0.62mm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的半球形结构支撑凸起上还设有真空吸附孔。
7.根据权利要求6所述的干刻蚀底部电极，其特征在于，所述的真空吸附孔的孔径为0.05mm。
8.一种干刻蚀装置，至少包括：顶部电极，以及与所述顶部电极平行相对配置的底部电极，其特征在于，所述底部电极为权利要求1至7中任意一所述的干刻蚀底部电极。
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