[实用新型]单相整流桥堆

说明书

技术领域

本实用新型涉及对单相二极管整流桥堆结构的改进。

背景技术

现有技术中的单相二极管整流桥堆如图4、5所示，其芯片一61、芯片四64的P面（小）朝下，芯片二62、芯片三63的N面（大面）朝下。这种结构形式在本领域沿用至今，在生产中需要操作者仔细分辨、摆放芯片，如有不慎摆放错误，则该成品即报废，需要操作者全神贯注，这使得操作者的劳动强度较大，生产效率较低。尽管大面和小面的面积相差不大，但在使用时，大面接近散热面能提升产品的散热效果。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种能提高散热效果，且能减轻劳动强度的单相整流桥堆。

本实用新型的技术方案是：包括封装体、框架一~四和四只芯片，所述框架一~四的本体为片状、片状本体的平面形状呈等腰直角三角形，各框架上分别设有与框架本体垂直的引脚，框架一~四的斜角依次相接使得四只框架构成一正方形轮廓，所述框架二朝向框架一的锐角角部、框架三的两个锐角角部以及框架四朝向框架一的锐角角部分别朝向设置引脚的方向折弯出于各框架本体平行的段差面；所述四只芯片的N面分别焊接在框架一的两锐角角部平面、框架二朝向框架三的锐角角部平面和框架四朝向框架三的锐角角部平面上。

本实用新型改进了各框架的结构，使得所有芯片朝向一致地设置在产品中，构成整流回路。由于所有大面（N面）朝向顶部散热面，使得产品的散热效果得到提高。并且单一表面的放置，对于操作者来说无需进行仔细的分辨，能大大减轻操作者的劳动强度。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图，

图2是图1的仰视图，

图3是本实用新型中各框架的拆分图，

图4是本实用新型背景技术的结构示意图，

图5是图4的仰视图；

图中1是框架一，2是框架二，3是框架三，4是框架四，5是封装体，6是芯片，21是段差面一，31是段差面二，32是段差面三，41是段差面四，61是芯片一，62是芯片二，63是芯片三，64是芯片四。

具体实施方式

本实用新型如图1-3所示，包括封装体5、框架一~四（1、2、3、4）和四只芯片6，所述框架一~四的本体为片状、片状本体的平面形状呈等腰直角三角形，各框架上分别设有与框架本体垂直的引脚，框架一~四的斜角依次相接使得四只框架构成一正方形轮廓，所述框架二2朝向框架一1的锐角角部、框架三3的两个锐角角部以及框架四4朝向框架一1的锐角角部分别朝向设置引脚的方向折弯出于各框架本体平行的段差面；所述四只芯片的N面分别焊接在框架一1的两锐角角部平面、框架二2朝向框架三3的锐角角部平面和框架四4朝向框架三3的锐角角部平面上。

对照图3进一步说明本实用新型，在框架二2朝向框架一1的锐角设有段差面一21，框架三3朝向框架二2的锐角设有段差面二31，框架三3朝向框架四4的锐角设有段差面三32，框架四4朝向框架一1的锐角设有段差面四41；各段差面均朝向引脚方向折出，如图2所示，芯片6置于各段差面与对应的本体平面之间。