[实用新型]芯片供电电路有效
| 申请号: | 201120434604.9 | 申请日: | 2011-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN202282164U | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
| 发明(设计)人: | 袁珍平 | 申请(专利权)人: | 珠海天威技术开发有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074 |
| 代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 李谨;张中 |
| 地址: | 519060 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 供电 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种供电电路,具体地说,涉及一种用于为芯片提供电源的芯片供电电路。
背景技术
芯片,也成为集成电路(IC),是电路或电路板的核心组成部分,尤其是电子产品的专业芯片,为保障芯片或电子产品能稳定且正常地工作,需要为芯片或电子产品提供稳定的电源,通常有两种方式给芯片供电,第一种是将芯片与电路板上其他元件组合一起,再直接或通过分离元件与统一的输入电压连接;第二种是通过特定的供电电路给芯片供电,图1是其中的一种供电电路,该供电电路中是通过降压电阻R27和稳压二极管ZD7稳压给芯片IC供电;通过外接电源给芯片供电的电路大多结构复杂,导致生产成本升高、不易于推广应用;采用特定供电电路给芯片供电,虽然较第一种方式灵活和简单,但功率损耗较大;而且,随着芯片的广泛应用以及科学技术的飞速发展,愈来愈多的电路需要在非常短的时间内启动,上述两种供电电路均不能满足芯片短时间启动、甚至零时间立即启动的需求,且不能同时具备结构简单及低功耗的特点,不便于推广使用,进而使得芯片的使用范围受到很大限制。
发明内容
本实用新型的主要目的是提供一种满足短时间启动电路的需要、结构简单的芯片供电电路,以解决上述现有技术的不足。
为实现上述目的,本实用新型提供的芯片供电电路包括供电电源、第一电阻、第二电阻、二极管、晶体管和储电元件;供电电源经第一电阻和第二电阻接地,供电电源还通过二极管连接到芯片的供电引脚及晶体管的集电极;晶体管的基级连接到第一电阻与第二电阻之间,储电元件一端接地,另一端与晶体管的发射级连接,芯片的接地引脚接地。
由上方案可见,由于采用了晶体管和储电元件,当供电电源VCC有电时,供电电源VCC电压通过二极管给芯片供电,当供电电源VCC没电时,储电元件通过晶体管给芯片供电,因此,能够适应需要快速启动电路的需求,迅速地给芯片提供电源,而且,供电电路中采用普遍使用的晶体管、二极管等电子组件,结构简单、易于推广应用。
其进一步方案是,储电元件可充电。
采用可充电储电元件,可以在供电电源VCC有电时,给可充电储电元件充电,供电电源VCC没电时,通过可充电储电元件给芯片供电,提高整个供电电路的重复使用效率。
附图说明
图1是现有芯片供电电路的结构示意图。
图2是本实用新型之芯片供电电路实施例的结构示意图。
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步进行说明。
具体实施方式
实施例
参见图2,本实施例所提供的芯片供电电路用于给芯片提供电源,包括供电电源VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、PNP晶体三极管Q1和可充电电池BATT;供电电源VCC经第一电阻R1和第二电阻R2接地,供电电源VCC还通过二极管D1连接到芯片IC的供电引脚VT及PNP晶体三极管Q1的集电极;PNP晶体三极管Q1的基级连接到第一电阻R1与第二电阻R2之间,可充电电池BATT负极接地,正极与PNP晶体三极管Q1的发射级连接,芯片IC的接地引脚接地。
应用本实施例给芯片供电,第一电阻R1和第二电阻R2构成分压电路,其阻值根据PNP晶体三极管Q1的功率而确定。当供电电源VCC有电时,T1点电位为高电平,PNP晶体三极管Q1截止,B通路被关断,VCC电压通过二极管D1给芯片供电,即图2中的A通路,同时,VCC电压还通过分压电阻R1和PNP晶体三极管Q1的发射极给可充电电池BATT充电;当供电电源VCC没电时,T1点电位为低电平,PNP晶体三极管Q1导通,可充电电池BATT通过PNP晶体三极管Q1给芯片供电,即图2中的B通路;如此,无论供电电源VCC是否有电,都能通过交替使用A通路和B通路,来实现对芯片的电源提供,当芯片需要快速启动甚至零时间启动时,能迅速作出响应。
作为本实用新型实施例的一种变换,可以采用电容或可充电电容或蓄电池等储电元件,上述变换同样可实现本实用新型的目的。
作为本实用新型实施例的另一种变换,储电元件可以采用普通的储电元件,如电池或电池组或电容等,当供电电源VCC有电时,通过供电电源给芯片供电,当供电电源VCC没电时,通过储电元件给芯片供电,上述变换同样可实现本实用新型的目的。
作为本实用新型实施例的又一种变换,PNP晶体三极管可以替换为晶闸管,上述变换同样可以实现本实用新型的目的。
综上所述,本实用新型不限于上述所描述的实施例、实施例变换及其组合,其他基于本实用新型技术方案且不违背本实用新型目的的结构变化也应该包括在本实用新型权利要求的保护范围内。
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