[实用新型]低相位噪声高精度温补晶体振荡器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种应用于通信设备、军用通信电台、导航系统等，尤其涉及一种低相位噪声高精度温补晶体振荡器。 

背景技术

目前市场上有两类产品，一类温补晶体振荡器，温度稳定度可以做到±5×10^-7，但相位噪声指标较差；另外一类温补晶体振荡器相位噪声指标较好，但是温度稳定度指标比较差。 

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种适用于频率源要求有较高的频率稳定度和较低的相位噪声指标的场合低相位噪声高精度温补晶体振荡器。 

本实用新型的一种低相位噪声高精度温补晶体振荡器，其创新点在于：包括晶体振荡器、温度传感器、A/D转换器、微处理器以及D/A转换器，所述晶体振荡器为压控振荡器，所述温度传感器与压控振荡器热耦合，所述温度传感器的信号输出端与A/D转换器的输入端电连接，所述A/D转换器的输出端与微处理器的信号输入端电连接，微处理器的信号输出端与D/A转换器的输入端电连接，所述D/A转换器的输出端的输出电压加载在压控振荡器的两端。 

所述压控振荡器为变容二极管。 

与现有技术相比本实用新型的有益效果为：在各个不同温度点上保持振荡频率为标称频率f0时所需要的温度补偿数据由实验得到并写进微处理器的数据段中.温度传感器测出晶体振荡器的温度T，经A/D转换为代表该温 度的数字量NT，再用NT作为地址，由微处理器从数据段中读出该地址所存储的温度补偿控制电压数据Nk后送到D/A转换器，再由D/A转变为相对应的模拟温度补偿控制电压UK并加到VCTCXO的变容二极管两端，以控制VCTCXO振荡频率按给定误差趋近于标称频率f0，产品具有较低的相位噪声和较高的频率温度稳定度，功耗低，功耗不大于50mW。在-40℃～+85℃温度范围内，稳定度优于±2×10^-7，偏离载频值1kHz处相位噪声指标优于-150dBc/Hz。适用于频率源要求有较高的频率稳定度和较低的相位噪声指标的场合。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。 

如图1所示，一种低相位噪声高精度温补晶体振荡器，包括晶体振荡器、温度传感器1、A/D转换器2、微处理器3以及D/A转换器4，所述晶体振荡器为压控振荡器vctcxo，所述温度传感器1与压控振荡器vctcxo热耦合，所述温度传感器1的信号输出端与A/D转换器2的输入端电连接，所述A/D转换器2的输出端与微处理器3的信号输入端电连接，微处理器3的信号输出端与D/A转换器4的输入端电连接，所述D/A转换器4的输出端的输出电压加载在压控振荡器vctcxo的两端。 

所述压控振荡器vctcxo为变容二极管。 

在各个不同温度点上保持振荡频率为标称频率f0时所需要的温度补偿数据由实验得到并写进微处理器的数据段中.温度传感器测出晶体振荡器的温度T，经A/D转换为代表该温度的数字量NT，再用NT作为地址，由微处理器从数据段中读出该地址所存储的温度补偿控制电压数据Nk后送到D/A 转换器，再由D/A转变为相对应的模拟温度补偿控制电压UK并加到VCTCXO的变容二极管两端，以控制VCTCXO振荡频率按给定误差趋近于标称频率f0。本实用新型体积小：20mm×12mm×9mm；宽温度范围内温度补偿精度高：在-40℃～+85℃温度范围内，稳定度优于±2×10^-7；偏离载频值1kHz处相位噪声指标优于-150dBc/Hz；功耗低：功耗不大于50mW。 

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。