[实用新型]晶圆薄膜定向生长的监控装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种化学气相沉积领域，尤其涉及一种晶圆薄膜定向生长的监控装置。

背景技术

目前，在化学气相沉积领域内，锗化硅(SiGe)广泛应用于P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管制造工艺中。该PMOS晶体管制造工艺在外延机台内仅需对晶圆表面的PMOS的源极和漏极定向生长SiGe，而晶圆的其他部位并不期望生长出SiGe。在该外延机台内，通常采用HCL气体对晶圆表面进行SiGe的定向生长，并且，在该定向生长反应中，HCL气体流量是固定的。

当晶圆进行批量的SiGe定向生长工艺后，通常采用检测机台对晶圆的表面进行扫描。该检测机台是用于扫描晶圆表面的微尘和缺陷情况的机台。如果由于外延机台的选择性不好而在晶圆的SiO₂或Si₃N₄表面上沉积出SiGe，则将不符合要求，该检测机台可以识别这种情况。一旦，晶圆的扫描结果具有缺陷，不符合要求，则该晶圆将报废。又由于晶圆在外延机台内进行批量生长，因此，晶圆的报废数量往往比较大，由此带来了巨大的经济损失。

因此，如何提供一种可以监控晶圆薄膜定向生长情况的监控装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供晶圆薄膜定向生长的监控装置，通过设置红外线发射器和红外线探测器可以监控晶圆表面的薄膜定向生长情况。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶圆薄膜定向生长的监控装置，设置于反应腔内，包括红外线发射器和红外线探测器，所述红外线发射器和所述红外线探测器相对设置于所述反应腔的顶部。

所述红外线发射器可转动角度式设置于所述反应腔的顶部。

所述红外线发射器通过万向接头设置于所述反应腔的顶部。

所述红外线探测器可转动角度式设置于所述反应腔的顶部。

所述红外线探测器通过万向接头设置于所述反应腔的顶部。

所述晶圆薄膜定向生长的监控装置还包括一控制器，所述反应腔内设有供气管路，所述供气管路上设有控制阀，所述控制器分别与所述红外线探测器和所述控制阀连接。

所述晶圆薄膜定向生长的监控装置还包括一报警器，所述报警器和所述控制器连接。

所述晶圆薄膜定向生长的监控装置还包括一报警器，所述报警器和所述红外线探测器连接。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的晶圆薄膜定向生长的监控装置，通过在反应腔的顶部设置红外线发射器和红外线探测器，该红外线发射器发出的红外线射到晶圆的表面并被晶圆的表面反射，该红外线探测器会接收晶圆表面反射出的红外线，由于每种物质对应的红外线光谱是不同的，因此，红外线探测器可以识别出晶圆表面不同部位的物质构成，也即，红外线探测器可以识别出晶圆表面的薄膜定向生长情况。另外，通过设置控制器和控制阀，控制器可以接收来自红外线探测器的信息，并对该信息进行处理和分析后，向控制阀发出指令，通过控制阀自动调整供气管路的流量，使得晶圆表面的定向生长反应趋于正常。

附图说明

本实用新型的晶圆薄膜定向生长的监控装置由以下的实施例及附图给出。

图1是本实用新型实施例的晶圆薄膜定向生长的监控装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的晶圆薄膜定向生长的监控装置的电路示意图。

图中，1-晶圆、2-红外线发射器2、3-红外线探测器、4-反应腔的顶部、5-控制器、6-控制阀、7-报警器。

具体实施方式

以下将对本实用新型的晶圆薄膜定向生长的监控装置作进一步的详细描述。

下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。