[实用新型]薄膜晶体管阵列基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

在现有的液晶显示器中，特别是薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）中，为了增加开口率，一般会将铟锡金属氧化物（Indium Tin Oxides，ITO）部分的面积增大，但这样会造成杂散电容效应，即像素（Pixel）电极和数据线之间存在的杂散电容会使得液晶面板显示不良。

为了降低杂散电容效应，一般会在薄膜晶体管阵列基板的版面中增加辅助电容线。该辅助电容线（或称为Shield Metal）处于比较靠近数据线的位置。而在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，经常会产生很多导电颗粒（particle），这些导电颗粒一部分会被清洗机清除，另一部分可能会残留在该薄膜晶体管阵列基板上。残留的导电颗粒会在液晶显示器点亮时产生亮点、亮线、暗线、碎亮点、弱亮线、弱暗线等缺陷。为了消除这些缺陷，通常要对液晶显示面板进行修补，以便将导电颗粒清除。

如图1所示，为现有的薄膜晶体管阵列基板的局部示意图。图中数据线3与扫描线1绝缘交叉，其交叉处附近设置有薄膜晶体管4，该薄膜晶体管4包括源极4S、闸极4G和漏极4D。两条扫描线1和两条数据3所围区域有一像素电极5。在两条扫描线1之间有一电容线2。在数据线3附近设置有辅助电容线6。辅助电容线6包括切割部6b和主体部6a。若在辅助电容线6与数据线1之间残留了导电颗粒，该导电颗粒可能会造成辅助电容线6与数据线3之间短路，从而造成像素亮点的出现。为了消除该些导电颗粒对液晶显示面板的影响，可以将辅助电容线6的切割部6b切断，以使该辅助电容线6与电容线2隔离。

但是，现有的这种设计使得辅助电容线的制作工艺复杂化。

实用新型内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示面板。可以在不增加辅助电容线的制作难度的情况下，方便的将辅助电容与电容线之间的连接切割开。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条相互平行的扫描线、多条与该扫描线垂直绝缘相交的数据线、任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定的像素单元以及任意两条相邻的扫描线之间的电容线，其中，

在电容线上具有沿所述电容线的延伸方向的长形通孔，所述长形通孔位于所述电容线与数据线的交叉处，在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边具有对称分布的沿所述数据线的延伸方向延伸出的辅助电容线。

在对应所述长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边分别具有两条辅助电容线，且位于同侧边上的两条辅助电容线沿所述数据线的延伸方向对称分布。

所述长形通孔沿所述数据线对称，且所述长形通孔的长度大于位于同侧边上的沿所述数据线对称分布的两条辅助电容线之间的距离。

所述长形通孔为长度方向沿所述电容线延伸方向的矩形通孔。

所述长形通孔位于所述数据线一侧的面积s为1≤s≤16，单位为平方微米。

在本实用新型实施例中，辅助电容线不需要进行特别设计，而是在与其相连的电容线中增加一长形通孔，实现对应长形通孔的两侧孔壁处的电容线的两侧边上的辅助电容线的方便的切割，不需要增加辅助电容线设计的复杂度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的薄膜晶体管阵列基板的局部示意图；

图2是本实用新型薄膜晶体管阵列基板的第一优选实施例的局部平面示意图；

图3是本实用新型薄膜晶体管阵列基板的第二优选实施例的局部平面示意图；

图4是对本实用新型薄膜晶体管阵列基板的第一优选实施例中所述长形通孔位于数据线一侧的面积的标示示意图；

图5是本实用新型薄膜晶体管阵列基板制造方法的优选实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。