[实用新型]一种大功率LED集成封装结构

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种大功率LED集成封装结构。

【背景技术】

原有的大功率LED芯片集成封装，在芯片串联时都是采用金线直接将两个不同芯片的正负极连接在一起，这样由于金线绑定机在切断金线时压力较大，直接作用在芯片上，会对芯片有一定的损伤，所述缺陷值得改进。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于针对上述诉述的缺陷，提供一种大功率LED集成封装结构，本实用新型主要应用于LED封装技术中，主要解决大功率LED集成封装时芯片的排列问题，本实用新型目的是避免芯片在集成封装时芯片串联直接使用金线连接，从而达到提高LED大功率LED集成封装的使用寿命和稳定性。

本实用新型的技术方案如下：一种大功率LED集成封装结构，包括一层支架铜基板，其特征在于，所述的支架铜基板上覆盖一层硅衬底层，所述的硅衬底层上又覆盖一层绝缘层，所述的绝缘层上覆盖一层镀银层，所述的镀银层上设置有电路板并排列有数个芯片，所述的芯片通过金线将芯片的正负极与镀银层上的电路板连接在一起，所述的芯片上覆盖有硅胶层，所述的硅胶层将所述的芯片与空气隔离进行密封。

所述的支架铜基板为纯铜基板，表面电镀亮银，主要作用是用来导热、固定硅片，也是支架的主题结构件；

所述的硅胶层采用双组份高、透光率、耐高温、粘接性好的硅胶，混合后填满支架，将芯片与空气隔离来保证芯片的使用寿命以及金线不受外界影响；

所述的金线使用全自动焊线机，将芯片的正负极与产品的线路焊接在一起，使得芯片与PCB板的线路形成通路，在给PCB板线路加上电压时可以将压降传递给芯片从而使芯片发光；

所述的芯片为产品的发光部件，采用银胶粘合的方式将芯片粘接在导柱表面的中心；

所述的镀银层采用电镀工艺，在其硅片表面的绝缘层上镀上亮银，作用提高反射率和导电的作用；

所述的绝缘层采用目前比较先进的高导热绝缘层，采用压合或者涂覆的方式将绝缘层固定在硅片上；

所述的硅衬底是采用高纯度硅做为材料制作而成的具有导热作用。

根据上述的结构，本实用新型主要应用于LED封装技术中，解决了大功率LED集成封装时芯片的排列问题，本实用新型可以避免芯片在集成封装时芯片串联直接使用金线连接，从而达到提高LED大功率LED集成封装的使用寿命和稳定性。

【附图说明】

附图1为本实用新型的结构示意图；

附图2为本实用新型纵剖面放大后的结构示意图。

在图中，1、支架铜基板；2、硅胶层；4、金线；5、芯片；6、镀银层；7、绝缘层；8、衬底层。

【具体实施方式】

下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：

如图1、图2所示，一种大功率LED集成封装结构，包括一层支架铜基板1，其特征在于，所述的支架铜基板1上覆盖一层硅衬底层8，所述的硅衬底层8上又覆盖一层绝缘层7，所述的绝缘层7上覆盖一层镀银层6，所述的镀银层6上设置有电路板并排列有数个芯片5，所述的芯片5通过金线4将芯片的正负极与镀银层6上的电路板连接在一起，所述的芯片5上覆盖有硅胶层2，所述的硅胶层2将所述的芯片5与空气隔离进行密封。

总之，上述实施例所描述的实施方式，并不代表本实用新型所有的实现方式，以上实施例不是对本实用新型的具体限定，所有与本实用新型技术方案相类似的构造，都应属于本实用新型的保护范围。