[实用新型]一种具有高散热性能的发光器件

权利要求书

1.一种具有高散热性能的发光器件，包括一LED芯片，所述LED芯片中设有一介电层，其特征在于，所述介电层采用热导率大于100W/m·K的绝缘材料制作。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述介电层材料为类金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述介电层材料为纳米氮化铝、纳米金刚石或者上述材料形成的堆叠薄膜中的一种。

4.如权利要求1至3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述LED芯片包括：

一LED外延层；和

一氮化镓N型层，设于所述LED外延层上；和

一氮化镓P型层，设于所述氮化镓N型层上，其上还设有至少一刻蚀通孔，露出所述氮化镓N型层；和

P欧姆接触层，设于所述氮化镓P型层上；和

N欧姆接触层，设于所述刻蚀通孔中露出的氮化镓N型层上；和

介电层，覆盖在至少一所述LED芯片边缘的P欧姆接触层以外的区域上，并在所述N欧姆接触层的正上方设置介电层通孔，露出所述N欧姆接触层；和

N键合层，设于所述介电层和N欧姆接触层上，与所述N欧姆接触层电连接；以及

P键合层，设于介电层覆盖的P欧姆接触层以外的P欧姆接触层上，并与接触的P欧姆接触层电连接。

5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括一承托所述LED芯片的键合衬底，所述键合衬底包括：

一类金刚石薄膜层，设于所述键合衬底上表面；和

一金属布线层，由相互绝缘的P金属层与N金属层组成，设于所述类金刚石薄膜层上表面，所述P金属层与N金属层分别与所述LED芯片上的P键合层和N键合层键合连接。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述键合衬底的材料为陶瓷、硅、铝和铜中的一种。