[实用新型]基于平面变压器的可控硅恒流驱动电路有效

专利信息
申请号: 201120404837.4 申请日: 2011-10-22
公开(公告)号: CN202334273U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 史丽萍;胡泳军;刘金虹;赵井贵;陈丽兵 申请(专利权)人: 徐州上若伏安电气有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221000 江苏省徐州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 平面 变压器 可控硅 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

硅的驱动电路,可控硅广泛应用于可控整流、有源逆变、交流调压、变频器、无触点功率开关等领域。

背景技术

  晶闸管又称可控硅,是硅晶体闸流管的简称。是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。利用其整流可控特性可方便地对大功率电源进行控制和变换。它具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、无噪声、寿命长、容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性,但它的导通时间是可控的(可控硅),主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。它有普通型、双向型和可关断型等。使用维护简单、控制灵敏等优点,所以在工业生产上得到了广泛的应用。如何能够稳定而高效的驱动可控硅,是能否使用好可控硅的关键。

  平面变压器的优点主要集中在较低的漏感值和交流阻抗。绕组问的间隙越大意味着漏感越大,也就产生更高的能量损失。平面变压器利用铜箔与电路板间的紧密结合,使得在相邻的匝数层间的间隙非常的小,因此能量损耗也就很小了。在平面型变压器里,其“绕组”是做在印制电路板上的扁平传导导线或是直接用铜泊。扁平的几何形状降低了开关频率较高时趋肤效应的损耗,也就是涡流损耗。因此,能最有效地利用铜导体的表面导电性能,效率要比传统变压器高得多。另外,平面变压器体积小,便于减小驱动器的整体体积,无需人工绕线,一致性好,并且成本也低于绕线变压器。

实用新型内容

  本实用新型提供了一种采用基于平面变压器的可控硅驱动电路,其优点在于能够输出可编程恒定电流,体积小,效率可高达90%。

  为了实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案实现:该实用新型包括FPGA的内部逻辑控制部分,基于平面变压器的推挽电路部分,同步整流电路部分和可编程恒定电流部分,通过FPGA的内部逻辑控制电路控制推挽电路的两个MOS管轮流导通,再经过同步整流电路整流,输出恒定的电流,驱动可控硅导通。由于可控硅的门极呈现二极管特性,使用恒流驱动可以避免过高的驱动电流将其烧毁。通过FPGA控制比较器的参考电压就可以输出不同的驱动电流。

  有益效果:该实用新型能够输出可编程恒定驱动电流,体积小,效率可高达90%。

附图说明

  图1是基于平面变压器的可控硅驱动电路拓扑图。

  图2是FPGA内部的逻辑控制电路拓扑图。

  图3是基于平面变压器的推挽电路拓扑图。

  图4是同步整流电路拓扑图。

  图5是可编程限流电路拓扑图。

具体实现方式

  见图1,基于平面变压器的可控硅驱动电路,包括FPGA逻辑控制部分、基于平面变压器的推挽电路部分、同步整流部分、可编程恒定电流部分组成。

  见图2,FPGA通过内部的触发器,分离出互补的两个信号,分别驱动推挽电路的两个MOS管,使两个MOS管互补导通。

  见图3,推挽电路的两个MOS管接收FPGA的驱动信号互补导通。通过平面变压器输出电压信号

  见图4,通过同步整流电路,同步整流是为了降低二极管的管压降,使输出得到稳定电压驱动可控硅。

  见图5,通过限流电路,限制MOS管的电流,当过流时,通过限流电路给FPGA输送关断驱动信号,使电路处于关断状态,使输出处于恒流状态,保护驱动的可靠性和稳定性。 

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