[实用新型]一种阈值电压对电源电压波动不敏感的施密特触发器

说明书

技术领域

本实用新型涉及触发器，具体涉及一种阈值电压对电源电压波动不敏感的施密特触发器。

背景技术

在美国专利US5886556中引用了一种施密特触发器，如图1所示。在图1中，施密特触发器包括逆变器12，P沟道晶体管14和22，N沟道晶体管20和24，和逆变器26。逆变器12包括P沟道晶体管16和N沟道晶体管18。如大多数施密特触发器电路一样，正反馈被用于调节逆变器12的开关点。正反馈包括非线性器件22和24，它们和逆变器12的输出端耦合，基于标注着“V_IN”的输入信号的逻辑摆幅来切换逆变器12的输入。P沟道晶体管14和22主要提供驱动电路。P沟道晶体管14和P沟道晶体管22的比值决定了逆变器12的最大开关点。同样，N沟道晶体管20和24形成了一个电压驱动来控制逆变器12的低的开关电压。

电流流过电压驱动参考电路引起了施密特触发器10较大的能量消耗。同时，P沟道晶体管14和N沟道晶体管20的栅极耦连并接收V_IN.

附图1中所示的施密特触发器存在如下问题：

1)电源的波动对所述施密特触发器的高、低阈值影响比较大。

2)在所述施密特触发器的状态翻转时，瞬时电流大，因而功耗大。

实用新型内容

为了解决图1所示的施密特触发器中阈值对电源波动敏感，且功耗大的技术问题，本实用新型提出了一种阈值电压对电源电压波动不敏感的施密特触发器。

本实用新型的技术方案为：

一种阈值电压对电源电压波动不敏感的施密特触发器，其特征在于，包括：

电阻，其一端与第一电源的电压端头耦合；

第一晶体管，其具有：第一晶体管第一电流电极，其与所述电阻的另一端耦合；一个用于接收输入信号的控制电极；第一晶体管第二电流电极；

第二晶体管，其具有：第二晶体管第一电流电极，其与第一晶体管的第二电流电极相耦合；一个用于接收所述输入信号的控制电极；第二晶体管第二电流电极；

第三晶体管，其具有：第三晶体管第一电流电极，其与第二晶体管的第二电流电极耦合；一个用于接收所述输入信号的控制电极；第三晶体管第二电流电极；

第四晶体管，其具有：第四晶体管第一电流电极，其与第三晶体管的第二电流电极耦合；一个用于接收所述输入信号的控制电极；第四晶体管第二电流电极，其与第二电源电压端头耦合；

一个逆变器，其具有：逆变器输入端，其与所述第二晶体管第二电流电极相耦合；一个提供所述阈值电压对电源电压波动不敏感的施密特触发器的输出信号的输出端；

第五晶体管，其具有：第五晶体管第一电流电极，其与所述第一晶体管第二电流电极相耦合；一个控制电极，其与所述逆变器输入端相耦合，且与第二晶体管的第二电流电极相耦合；第五晶体管第二电流电极，其与所述第二电源的电压端头相耦合；

第六晶体管，其具有：第六晶体管第一电流电极，其与所述电阻的所述另一端相耦合；一个控制电极，其与所述逆变器的输入端相耦合，且与所述第二晶体管第二电流电极相耦合；第六晶体管第二电流电极，其与所述第三晶体管第二电流电极相耦合。

所述第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管为P沟道MOS场效应晶体管，第三晶体管、第四晶体管、第六晶体管为N沟道MOS场效应晶体管。

所述第一电源电压端头和第二电源电压端头之间的电压的范围为2.7V-5V，所述电阻的阻值范围为35kΩ-65kΩ。

本实用新型的有益技术效果如下：

1、与现有技术的图1所示的施密特触发器相比，本实用新型在所述第一晶体管第一电流电极和所述第一电源电压端头之间串联了一个电阻，所述电阻起到分压作用，隔离了一部分电源电压的波动，减小了施密特触发器的阈值对于电源电压波动的敏感度。

2、由于所述电阻起到了分压作用，因此本实用新型(如图2所示)中的施密特触发器输出电压的最大幅值相比于现有技术(如图1所示)中的施密特触发器的输出电压的最大幅值减小了，因此，相比于现有技术的施密特触发器(如图1所示)，对于同样的输出端的负载，本实用新型有效减小了触发器在状态翻转时的瞬间电流。故本实用新型适用于需要触发器状态频繁翻转的场合，这对于降低功耗非常有益。

附图说明

图1——美国专利US5886556所引用的施密特触发器的电路示意图

12-逆变器

14、16、22-P沟道晶体管

18、20、24-N沟道晶体管

26-逆变器