[实用新型]硅片背面缺陷正面打点的定位结构有效
| 申请号： | 201120399767.8 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN202282333U | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 沈雅雅;陈杰;汪雪锋;高倩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 缺陷 正面 打点 定位 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：包括安装硅片(1)的片盒，所述片盒的四周各设有一标尺(2)，其中两根相邻的标尺(2)外侧分别设有一激光定位灯(3)，每个激光定位灯(3)发出的激光与不相邻的两标尺(2)相交，且交点所在的刻度值相同。
2.根据权利要求1所述的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：所述硅片(1)为通过膜贴合在一铁环(4)上的划片后的硅片。
3.根据权利要求1所述的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：所述片盒具有供带铁环的硅片(1)插入的凹槽。
4.根据权利要求1所述的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：所述相邻的标尺(2)相互垂直。
5.根据权利要求1或2或3所述的硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：所述标尺(2)的最小刻度为1毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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