[实用新型]晶舟和炉管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种晶舟和炉管。

背景技术

在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。

在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管。一般的，现有的炉管，包括晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上。具体请参阅图1和图2，其中，图1所示是现有的晶舟的结构示意图，图2所示是现有的晶舟的晶圆托块的结构示意图。现有的晶舟包括顶板111、底板112以及连接于所述顶板111和所述底板112之间的若干支柱113，所述支柱113的数量通常是四根，所述四根支柱113分别沿其纵向间隔设置若干对应的晶圆托块114，所述晶圆托块114分别向晶舟内部横向凸出，所述晶圆托块114用于放置晶圆(未图示)，且所述晶圆托块114和晶圆的接触面是平面。

一方面，由于晶舟的立柱113为四根，在晶舟升降过程中容易因震动致使晶圆碰撞立柱113，致使晶圆上对应立柱113的部位产生大量的颗粒物质。

另一方面，由于石英基座在多晶硅淀积中容易产生薄膜，且由于这层薄膜比较疏松，而现有的晶舟的底板112上的通孔1121比较大，因此，该薄膜容易从保温桶及晶舟底板112的通孔1121中逸出并附着到晶圆上，造成晶圆上颗粒物质超标。

再一方面，现有的晶圆托块114和晶圆的接触面是平面，因此，晶圆放置到晶圆托块114上后，在震动中容易自由滑动，造成晶圆严重偏离所需的位置，使得后续对晶圆位置的调整工作比较繁重，不利于生产效率的提高。

因此，如何提供一种可以减小颗粒物质产生的晶舟和炉管是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶舟和炉管，可以在晶圆的运输过程中减少颗粒物质的产生。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶舟，包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述支柱的数量是三根。

优选地，在上述的晶舟中，所述若干支柱分别沿支柱的纵向间隔设置若干对应的晶圆托块，所述晶圆托块分别向晶舟内部横向凸出。

优选地，在上述的晶舟中，所述晶圆托块呈阶梯状。

优选地，在上述的晶舟中，所述晶圆托块包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶的一端与对应的立柱固定连接，另一端与第二台阶连接，所述第一台阶的台面和所述第二台阶的台面通过过渡连接面连接。

优选地，在上述的晶舟中，所述过渡连接面为斜面。

优选地，在上述的晶舟中，所述过渡连接面为曲面。

优选地，在上述的晶舟中，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。

本实用新型还公开了一种炉管，包括：如上所述的晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上。

优选地，在上述的炉管中，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的晶舟和炉管，一方面，由于将支柱的数量从现有的四根改成三根，根据三点确定一个平面的原理，可以使得支柱更加平稳地支撑晶圆，防止在晶舟移动过程中晶圆碰撞立柱，从而避免因碰撞而产生的颗粒物质，确保晶圆所处环境的洁净度，最终提高产品良率；

另一方面，将底板的通孔的直径缩小至热应力释放所需的距离，可以防止保温桶内部的多晶硅薄膜从该通孔处逸出，从而进一步减少颗粒物质产生，以确保产品良率；