[实用新型]一种H桥逆变电路有效
| 申请号： | 201120380069.3 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN202261070U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘晓霞;赵金璞;许斌 | 申请（专利权）人： | 郑州朗睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 白毅明 |
| 地址： | 450000 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 桥逆变 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种H桥逆变电路，包括组成桥臂的功率开关元件，其特征是：所述H桥逆变电路的功率开关元件同时采用了IGBT管和MOSFET管，其中上半桥的功率开关元件采用两只IGBT管，下半桥的功率开关元件采用两只MOSFET管，上半桥的两只IGBT管的集电极接电源正极VDH，所述两只IGBT管的发射极分别接下半桥的两只MOSFET管的源极，下半桥的两只MOSFET管的漏极接电源地GND，上半桥的IGBT管的发射极和下半桥的MOSFET管的源极的连接节点组成H桥逆变电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的H桥逆变电路，其特征是：在上半桥的两只IGBT管的集电极与发射极之间分别并联有保护二极管D1、D4，所述保护二极管的负极接电源正极VDH；在下半桥的两只MOSFET管的源极与漏极之间分别并联有保护二极管D3、D2，所述保护二极管的正极接电源地GND。
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