[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元有效
| 申请号： | 201120369338.6 | 申请日： | 2011-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN202231016U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王金;黄泽军 | 申请（专利权）人： | 张万召 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/40;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元，其特征在于，包括半导体基片，隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体；顶层半导体上设置栅极、源极、漂移区、漏极,所述的栅极、源极短接;在半导体基片的硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层,所述栅极嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面,所述漏极接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。
2.根据权利要求1所述的晶体管单元，其特征在于，顶层半导体的一侧设置成一个缓冲区，另一侧具有深槽，所述槽的槽壁设置一纵向栅介质层。
3.根据权利要求1所述的晶体管单元，其特征在于，在所述缓冲区的内部远离纵向栅介质层一侧设置一个浅槽，所述浅槽中远离栅介质层一侧设置一个深槽。
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