[实用新型]低压差线性稳压器有效
| 申请号： | 201120365642.3 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202257345U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王东旺;孙丰军;王帅旗 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种低压差线性稳压器，包括PMOS管P2，其特征在于，所述低压差线性稳压器还包括脉冲产生电路和关断电路；
所述脉冲产生电路的输入端与负载关断信号端口SLEEP连接，用于根据所述负载关断信号端口SLEEP的信号，产生窄脉冲信号；
所述关断电路，用于在接收到所述脉冲产生电路产生的窄脉冲信号时将所述PMOS管P2关断。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括误差放大器、分压电阻Rf1、分压电阻Rf2、电容Cout；
所述误差放大器的反相输入端连接参考电压VREF；
所述误差放大器的输出端连接所述PMOS管P2的栅极；
所述PMOS管P2的源极连接电源VDD；
所述PMOS管P2的漏极通过串联所述分压电阻Rf1和所述分压电阻Rf2接地；
所述分压电阻Rf1和所述分压电阻Rf2的公共端连接所述误差放大器的正相输入端；
所述PMOS管P2的漏极通过并联所述电容Cout和负载ILOAD接地；
所述PMOS管P2的漏极为所述低压差线性稳压器输出端。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述脉冲产生电路包括PMOS管P4、NMOS管N1、电容C、电阻R、与非门NAND1；
所述PMOS管P4的栅极连接所述负载关断信号端口SLEEP；
所述PMOS管P4的源极连接电源VDD，所述PMOS管P4的漏极通过串联所述电阻R连接所述NMOS管N1的漏极；
所述NMOS管N1的栅极连接所述负载关断信号端口SLEEP；
所述NMOS管N1的源极接地；
所述电容C的上端连接电源VDD，下端连接所述PMOS管P4的漏极和所述与非门NAND1的第一输入端；
所述与非门NAND1的第二输入端连接所述负载关断信号端口SLEEP；
所述与非门NAND1的输出端为所述脉冲产生电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述关断电路包括PMOS管P3；所述PMOS管P3的栅极与所述脉冲产生电路的输出端连接；所述PMOS管P3的源极和所述电源VDD连接；所述PMOS管P3的漏极和所述PMOS管P2的栅极连接。
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