[实用新型]一种低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201120354886.1 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN202217200U 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 明鑫;李强;陈程;周泽坤;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压器,包括功率管,缓冲器,第一跨导放大器,第二跨导放大器,电流减法器和密勒补偿电容,其中,缓冲器的同相输入端接外部的基准电压源,反相输入端接缓冲器的输出;第一跨导放大器的同相输入端接线性稳压器的输出,反相输入端接缓冲器的输出;第二跨导放大器的同相输入端接缓冲器的输出,反相输入端接线性稳压器的输出;电流减法器的被减数端接第一跨导放大器的输出,减数端接第二跨导放大器的输出,电流减法器的输出端与功率管的栅极相连,功率管的源极接输入电源,密勒补偿电容一端接功率管的栅极,另一端与功率管的漏极相连作为线性稳压器的输出,其特征在于,

所述的第一跨导放大器包括PMOS管MS、M1、M2、M3、M4和M12,NMOS管M5、M6、M7、M17、M18、M19、M20和M21,电阻R2与电容C2;

所述第二跨导放大器包括PMOS管MS、M2、M3、M4、M11和M12,NMOS管M13、M14、M15、M17、M18、M19、M20和M21,电阻R1与电容C1;

其中,MS、M2、M3、M4、M12、M17、M18、M19、M20和M21为第一跨导放大器和第二跨导放大器共用,具体连接关系为:PMOS管MS的源极和衬底相连接输入电源,漏极接M21的漏极,栅极接功率管的栅极,M21的栅极和漏极短接,源极和衬底相连接地;PMOS管M2栅极和漏极短接,PMOS管M3栅极和漏极短接,PMOS管M1、M2、M3、M4、M11和M12的源极均与其衬底短接,PMOS管M1、M12和M3的源极相连,PMOS管M2、M4和M11的源极相连,PMOS管M1、M2和M12的栅极相连,PMOS管M3、M4和M11的栅极相连;NMOS管M17和M18的漏极接M2的漏极,M19和M20的漏极接M3的漏极,M17、M18、M19和M20的源极和衬底相连均接地,M17和M20的栅极相连接镜像外部的第一偏置电流,NMOS管M18和M19的栅极相连接M21的栅极,NMOS管M5、M6和M14的源极和衬底相连均接地,M14的漏极接M11的漏极,M6的漏极接M1的漏极,M5的栅极和漏极相连接M6的栅极,M5的漏极接M4的漏极;M13的栅极和漏极相连接M12的漏极;电容C1和电容C2的一端相连接稳压器的输出,电容C1的另一端接电阻R1的一端,电容C2的另一端接电阻R2的一端和M14的栅极,电阻R1的另一端接M7的栅极,电阻R2的另一端接M13的栅极;M7的栅极和漏极相连接M6的漏极,M7的源极和衬底相连接地;M15的栅极和漏极相连接M14的漏极,M15的源极和衬底相连接地。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述缓冲器包括包PMOS管M25、M26、M27和M30,NMOS管M22、M23、M24、M28和M29,其中,NMOS管M23、M24的衬底均接地;NMOS管M22的栅极接镜像外部的第二偏置电流,漏极和M23、M24的源极,M22的源极和衬底相连接地,2个PMOS管M25、M26漏极分别接M23、M24的漏极,M26的栅极和漏极短接;PMOS管M30、M27栅极分别接M23、M24的漏极;NMOS管M28、M29漏极分别接PMOS管M27、M30的漏极,M26的栅极和漏极短接,PMOS管M25、M26、M27和M30的源端和衬底相连接输入电源,NMOS管M28、M29的源端和衬底相连接地,NMOS管M23的栅极接外部的基准电压源,NMOS管M24的栅极、NMOS管M29的漏极和PMOS管M30的漏极相连作为缓冲器的输出端。

3.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述电流减法器包括NMOS管M16和M8,PMOS管M9和M10,其中,M8的栅极接所述第二跨导放大器中R1和C1有共同连接的一端,M8的源极和衬底相连接地,漏极接M9的漏极,M9的栅极和漏极短接,M9的栅极接M10的栅极,M9和M10的源极和衬底相连接输入电源,M10的漏极接M16的漏极,M16的源极和衬底相连接地,M16的栅极接M15的栅极,M10的栅极接所述功率管的栅极。

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